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(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN107367907A(43)申请公布日2017.11.21(21)申请号201710708172.8J·S·C·韦斯特拉肯AFJ德格罗特(22)申请日2013.05.17···M·范贝杰纳姆(30)优先权数据(74)专利代理机构北京市金61/652,5822012.05.29US杜律师事务所61/666,3482012.06.29US11256代理人王茂华吕世磊(62)分案原申请数据201380028677.X2013.05.17(51)Int.Cl.G03F7/20(2006.01)(71)申请人ASML荷兰有限公司地址荷兰维德霍温(72)发明人S·N·L·唐德斯M·菲恩C·A·霍根达姆M·霍本J·H·W·雅各布斯A·H·凯沃特斯R·W·L·拉法雷J·V·奥弗卡姆普N·坦凯特权利要求书1页说明书23页附图17页(54)发明名称支撑装置、光刻装置和器件制造方法(57)摘要一种用于光刻装置的支撑装置(60),具有物体保持件(61)和在物体保持件径向外侧的提取主体(65)。物体保持件被配置为支撑物体(W)。提取主体包括被配置为从支撑装置的顶面提取流体的提取开口(66)。提取主体与物体保持件间隔开,使得提取主体与物体保持件基本解耦。提取主体包括突起(30),所述突起被配置为使得其围绕物体保持件,并且使得在使用中液体(32)的层保留在突起上且接触支撑在物体保持件上的物体。CN107367907ACN107367907A权利要求书1/1页1.一种用于光刻装置的支撑装置,包括:被配置为支撑物体的物体保持件;和提取主体,在所述物体保持件径向外侧并且部分地在所述物体的外周边缘下面延伸,所述提取主体包括被配置为通过在所述提取主体与所述物体之间形成在所述支撑装置的顶面上的间隙提取流体的第一开口和第二开口,其中所述提取主体与所述物体保持件间隔开,使得所述提取主体与所述物体保持件基本机械解耦和热解耦。2.根据权利要求1所述的支撑装置,其中所述第二开口与减压流体连通。3.根据权利要求1所述的支撑装置,其中所述第一开口在所述物体下方被布置在所述第二开口的径向内侧并且与真空流体连通。4.根据权利要求1所述的支撑装置,其中所述提取主体通过中间间隙与所述物体保持件基本机械解耦和热解耦。5.根据权利要求1所述的支撑装置,其中所述提取主体通过密封非刚性地连接到所述物体保持件。6.根据权利要求1所述的支撑装置,其中所述提取主体通过多个周向间隔的接头连接到所述物体保持件。7.根据权利要求1至6中的任一项所述的支撑装置,其中所述提取主体的内周区域与所述物体保持件的外周区域之间的重叠的程度在从约0.5mm到约3mm的范围内。8.根据权利要求1至6中的任一项所述的支撑装置,其中所述提取主体还包括用于控制所述提取主体的温度的热调节系统。9.一种光刻装置,包括根据权利要求1至8中任一项所述的支撑装置。10.一种利用光刻装置的器件制造方法,所述方法包括:将由图案形成装置图案化的束投影到衬底上,同时利用支撑装置支撑所述衬底,其中所述支撑装置包括:被配置为支撑物体的物体保持件;和提取主体,在所述物体保持件径向外侧并且部分地在所述物体的外周边缘下面延伸,所述提取主体包括被配置为通过在所述提取主体与所述物体之间形成在所述支撑装置的顶面上的间隙提取流体的第一开口和第二开口,其中所述提取主体与所述物体保持件间隔开,使得所述提取主体与所述物体保持件基本机械解耦和热解耦。2CN107367907A说明书1/23页支撑装置、光刻装置和器件制造方法[0001]本申请是于2014年11月28日进入中国国家阶段、国家申请号为201380028677.X、发明名称为“支撑装置、光刻装置和器件制造方法”的中国发明专利申请的分案申请。[0002]相关申请的交叉引用[0003]本申请要求2012年5月29日提出的美国临时申请61/652,582的权益,其公开内容在此通过引用以其整体并入。该申请要求2012年6月29日提出的美国临时申请61/666,348的权益,其公开内容在此通过引用以其整体并入。技术领域[0004]本发明涉及支撑装置、光刻装置和器件制造方法。背景技术[0005]光刻装置是将期望图案应用到衬底上的机器,通常应用到衬底的目标部分上。光刻装置可以用于,例如,集成电路(IC)的制造。在这种情况下,图案形成装置,可选地被称为掩模或掩膜版,可以用于生成要形成在IC的单独层上的电路图案。该图案可以转移到衬底上的目标部分(即,包括一个或一些裸片的部分)上。图案的转移通常是通过成像到衬底上提供的辐射敏感材料(抗蚀剂)的层上。一般地,单个衬底将包含连续图案化的邻近目标部分的网络。已知的光刻装置包括所谓的步进机,其中每个目标部分是通过一次