屏蔽盾结构及其制造方法.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN115939187A(43)申请公布日2023.04.07(21)申请号202211460653.9(22)申请日2022.11.17(71)申请人上海华虹宏力半导体制造有限公司地址201203上海市浦东新区中国（上海）自由贸易试验区祖冲之路1399号(72)发明人陈跃华(74)专利代理机构上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)31237专利代理师郑星(51)Int.Cl.H01L29/40(2006.01)H01L21/336(2006.01)H01L29/78(2006.01)权利要求书1页说明书4页附图3页(54)发明名称屏蔽盾结构及其制造方法(57)摘要本发明提供一种屏蔽盾结构及其制造方法，由于在以所述掩膜层为掩膜刻蚀所述屏蔽盾材料层的过程中，导致所述掩膜层上残留有残留物，之后通过刻蚀以去除至少部分所述残留物，如此以能够降低后续去除所述掩膜层的难度。进而保证后续去除所述掩膜层时，能够去除干净以避免出现掩膜层的残留，以提升器件的性能。CN115939187ACN115939187A权利要求书1/1页1.一种屏蔽盾结构的制造方法，其特征在于，包括：提供衬底；在所述衬底上形成栅多晶硅层；在所述栅多晶硅层上形成屏蔽盾材料层，并使所述屏蔽盾材料层至少覆盖所述多晶栅层顶表面和侧壁；在所述屏蔽盾材料层上形成掩膜层；以所述掩膜层为掩膜对所述屏蔽盾材料层执行第一刻蚀工艺，以形成屏蔽盾层，并在执行所述第一刻蚀工艺的过程中产生至少残留在掩膜层上的残留物；执行第二刻蚀工艺，以去除至少部分所述残留物。2.如权利要求1所述的一种屏蔽盾结构的制造方法，其特征在于，所述第二刻蚀工艺为干法刻蚀。3.如权利要求2所述的一种屏蔽盾结构的制造方法，其特征在于，所述第二刻蚀工艺的刻蚀气体包括：四氟化碳、氩气和氧气的混合气体。4.如权利要求3所述的一种屏蔽盾结构的制造方法，其特征在于，所述四氟化碳的气体流量范围为：10Sccm～50Sccm；所述氩气的气体流量范围为：100Sccm～300Sccm；所述氧气的气体流量范围为：10Sccm～30Sccm。5.如权利要求2所述的一种屏蔽盾结构的制造方法，其特征在于，所述第二刻蚀工艺的压力范围为30MT～100MT。6.如权利要求2所述的一种屏蔽盾结构的制造方法，其特征在于，所述第二刻蚀工艺的功率为：300W～800W。7.如权利要求1所述的一种屏蔽盾结构的制造方法，其特征在于，在执行所述第二刻蚀工艺之后，所述方法还包括：执行低温干法去胶工艺以去除所述掩膜层。8.如权利要求7所述的一种屏蔽盾结构的制造方法，其特征在于，所述低温干法去胶工艺的稳定范围为：150℃～200℃。9.如权利要求1所述的一种屏蔽盾结构的制造方法，其特征在于，在形成所述栅多晶硅层之前，所述方法还包括：在所述衬底上形成第一介质层；以及，在形成所述栅多晶硅层之后，所述方法还包括：在所述栅多晶硅层上形成第二介质层。10.一种屏蔽盾结构，其特征在于，根据上述权利要求1～9任意一项所述的屏蔽盾结构的制造方法制备而成。2CN115939187A说明书1/4页屏蔽盾结构及其制造方法技术领域[0001]本发明涉及半导体技术领域，特别涉及屏蔽盾结构及其制造方法。背景技术[0002]射频LDMOS(LDMOS：LaterallyDiffusedMetalOxideSemiconductor)器件是半导体集成电路技术与微波电子技术融合而成的新一代集成化的固体微波功率半导体产品，具有线性度好、增益高、耐压高、输出功率大、热稳定性好、效率高、宽带匹配性能好、易于和MOS工艺集成等优点，并且其价格远低于砷化镓器件，是一种非常具有竞争力的功率器件，被广泛用于GSM、PCS、W‑CDMA基站的功率放大器，以及无线广播与核磁共振等方面。[0003]在射频LDMOS的设计过程中，要求大的击穿电压BV和小的导通电阻Rdson，同时，为获得良好的射频性能，要求其输入电容Cgs和输出电容Cds也要尽可能小，从而减小寄生电容对器件增益与效率的影响。较高的击穿电压有助于保证器件在实际工作时的稳定性。常规的射频LDMOS器件的结构在衬底表面的栅极结构上覆盖金属层并刻蚀成场板结构，称之为法拉第屏蔽盾(G‑Shield)。法拉第屏蔽层的作用是降低反馈的栅漏电容(Cgd)，同时由于其在应用中处于零电位，可以起到场板的作用，降低表面电场，从而增大器件的击穿电压，并且能够起到抑制热载流子注入的作用。[0004]屏蔽盾的形成方法一般是在栅多晶硅层制作完成之后，在整个器件表面沉积屏蔽盾材料层，之后在屏蔽盾材料层上形成光刻胶层，然后以光刻胶层为掩膜刻蚀屏蔽盾材料层以形成屏蔽盾层，最后去除光刻胶层。但是在刻蚀屏蔽盾材料层的过程中，会产生含WClx的残