带有屏蔽结构的晶体管、封装器件及其制造方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN109560069A(43)申请公布日2019.04.02(21)申请号201811122546.9H01L21/768(2006.01)(22)申请日2018.09.26(30)优先权数据15/715,6232017.09.26US(71)申请人恩智浦美国有限公司地址美国得克萨斯(72)发明人C·J·莱萨德D·G·霍尔梅斯D·C·伯德奥克斯H·鲁达I·克哈莉(74)专利代理机构中国国际贸易促进委员会专利商标事务所11038代理人欧阳帆(51)Int.Cl.H01L23/552(2006.01)H01L23/49(2006.01)权利要求书3页说明书12页附图9页(54)发明名称带有屏蔽结构的晶体管、封装器件及其制造方法(57)摘要本公开涉及带有屏蔽结构的晶体管、封装器件及其制造方法。晶体管包括具有内部有源器件、第一端和第二端的半导体基板。所述晶体管还包括在所述半导体基板上由介电材料和导电材料的层形成的互连结构。所述互连结构包括由所述导电材料形成并且延伸通过所述介电材料的导柱、分接互连件和安置在所述导柱和所述分接互连件之间的屏蔽结构。所述导柱接触所述第一端并且连接到第一流道。所述分接互连件接触所述第二端并且连接到第二流道。所述屏蔽结构包括基部段、从所述基部段的相对末端延伸的第一支腿和第二支腿，其中所述第一和第二支腿在反向平行于所述基部段的长度的方向上从所述基部段的相对末端延伸。CN109560069ACN109560069A权利要求书1/3页1.一种晶体管，其特征在于，包括：具有第一端和第二端的半导体基板；和在所述半导体基板的上表面上的互连结构，所述互连结构由多层介电材料和导电材料形成，所述互连结构包括：由所述导电材料形成的导柱，所述导柱与所述第一端电接触，所述导柱延伸通过所述介电材料；由所述导电材料形成的分接互连件，所述分接互连件与所述第二端电接触，所述分接互连件延伸通过所述介电材料；和由所述导电材料形成的屏蔽结构，所述屏蔽结构安置在所述导柱和所述分接互连件之间并且被配置成阻断在所述分接互连件和所述导柱之间的电场，并且所述屏蔽结构包括基部段、从所述基部段的相对末端延伸的第一支腿和第二支腿，其中所述第一和第二支腿在反向平行于所述基部段的长度的方向上从所述基部段的相对末端延伸。2.根据权利要求1所述的晶体管，其特征在于，所述互连结构的所述导电材料包括：第一层，接地平面在所述第一层中形成；和通过所述介电材料的第一介电材料层与所述第一层间隔开的第二层，所述屏蔽结构在所述第二层中形成，其中所述第一层相对于所述第二层最靠近于所述半导体基板的所述上表面驻留，并且第一导电通孔延伸通过所述第一介电材料层以将所述屏蔽结构与所述接地平面电互连。3.根据权利要求2所述的晶体管，其特征在于，所有所述基部段、所述第一支腿和所述第二支腿在所述导电材料的所述第二层中形成。4.根据权利要求2所述的晶体管，其特征在于：所述接地平面包括在所述第一层中形成的第一区段和第二区段；所述分接互连件的第一分接互连件段在所述接地平面的所述第一和第二区段之间的所述第一层中形成；和所述接地平面的所述第一和第二区段通过所述介电材料与所述第一分接互连件段侧向间隔开并且电隔离。5.根据权利要求4所述的晶体管，其特征在于：所述第一导电通孔耦合到所述屏蔽结构的所述第一支腿和所述接地平面的所述第一区段中的每个；和所述晶体管进一步包括延伸通过所述第一介电材料层并且耦合到所述屏蔽结构的所述第二支腿和所述接地平面的所述第二区段中的每个的第二导电通孔。6.根据权利要求2所述的晶体管，其特征在于，所述分接互连件包括：在所述导电材料的所述第一层中形成的第一分接互连件段，所述第一分接互连件段与所述接地平面侧向间隔开并且电隔离；在所述导电材料的所述第二层中形成的第二分接互连件段；和延伸通过所述第一介电材料层并且电互连所述第一和第二分接互连件段的另一个导电通孔。7.根据权利要求1所述的晶体管，其特征在于，所述互连结构进一步包括：电连接到所述导柱的第一流道；2CN109560069A权利要求书2/3页电连接到所述分接互连件的第二流道；和安置在所述第一流道和所述第二流道之间的屏蔽流道，所述屏蔽流道电连接到所述屏蔽结构。8.根据权利要求7所述的晶体管，其特征在于，所述互连结构的所述导电材料包括：第一层，接地平面和所述分接互连件的第一分接互连件段在所述第一层中形成，所述接地平面与所述第一分接互连件段电隔离；通过所述介电材料的第一介电材料层与所述第一层间隔开的第二层，所述屏蔽结构和所述第一流道在所述第二层中形成；和通过所述介电材料的第二介电材料层与所述第二层间隔开的第三层，其中：所述第一层相对于所述第二和第三层最靠近于所述半导体基板的所述上