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一种LED芯片结构及其制备方法.pdf
2023-06-02
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俊凤****bb
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本发明公开一种LED芯片结构制备方法，在蓝宝石衬底上依次形成N‑GaN层、量子阱层和P‑GaN层，形成外延片；对所述外延片进行切割，得到切割后的外延片；在所述切割后的外延片上的所述N‑GaN层的侧壁制备N电极，并在所述P‑GaN层的侧壁制备P电极，得到制备完成的LED芯片；LED芯片结构，包括外延片；所述外延片包括N‑GaN层和设于所述N‑GaN层一侧的P‑GaN层；所述N‑GaN层的一侧壁设有N电极，所述P‑GaN层的一侧壁设有P电极，且所述N‑GaN层的一侧壁和所述P‑GaN层的一侧壁不处于同一平面；
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