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一种高亮度LED芯片结构及其制备方法.pdf
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本发明提供了一种高亮度LED芯片结构及其制备方法，该高亮度LED芯片在厚度方向依次包括衬底、缓冲层、N‑GaN层、量子阱层及P‑GaN层，N‑GaN层为包括上台阶部和下台阶部的台阶型结构，量子阱层及P‑GaN层依次设置在上台阶部上方，下台阶部的N‑GaN上直接设置有N区围坝结构，其中N区围坝结构中间区域设置有N电极、P‑GaN层上设置有P电极，N区围坝结构为一端由N‑GaN层的下台阶部封闭的空心的柱体状，且在其朝向P电极的一侧不留缺口或留有用于电流流出的缺口，围坝结构高度为0.7um～5um，且大于等于其
2023-11-19
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