

一种防止硅片崩边的处理工艺以及操作用石英舟.pdf
春景****23
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一种防止硅片崩边的处理工艺以及操作用石英舟.pdf
本发明涉及一种防止硅片崩边的处理工艺以及操作用石英舟,包括以下操作步骤:步骤一:将清洗干净的石英舟放入多晶炉内(不放硅片),在多晶生长工艺条件下运行设备,使石英舟表面生长一层多晶硅;步骤二:将硅片放置在出现多晶硅的石英舟上,并使得硅片在多晶炉内进行多晶硅的生产;步骤三:将完成达标状态的硅片从石英舟中取下,并换上新的硅片进行生产;步骤四:经过多次生产的石英舟需要取下,并进行清洗,完成后再次重复步骤一至步骤四的操作。本发明具有结构简单、操作成本低、生产效益高、降低了单晶硅片多晶生长过程中崩边的比例等特点。
一种硅片用石英舟及硅片放置方式.pdf
本发明公开一种硅片用石英舟及硅片放置方式,石英舟包括前后相对设置的前固定板与后固定板及设在两者之间的多个上安装柱与下安装柱,上安装柱与下安装柱一一对应设置;上安装柱与下安装柱上均设有卡槽,上安装柱上的卡槽与下安装柱上的卡槽一一对应设置,且上安装柱上卡槽槽口与下安装柱上对应的卡槽的槽口相对设置,以限制放置在上安装柱与下安装柱之间的硅片向下移动;石英舟水平设置在炉管内,炉管轴心线方向与通入炉管的气体的气流方向平行,硅片所在平面与炉管的轴心线平行,或硅片所在平面与炉管的轴心线之间具有夹角。本发明提供的硅片放置方
一种硅片加工用石英舟.pdf
本发明涉及硅片扩散技术领域,且公开了一种硅片加工用石英舟,包括挡板,所述挡板的数量为两个,两个所述挡板的外表面均固定安装有舟挑架,两个所述挡板内表面的顶部之间固定连接有上支撑杆,所述上支撑杆的顶面开设有大卡槽和小卡槽,两个所述挡板内表面的底部之间固定连接有下支撑杆,所述下支撑杆的顶部开设有大槽和小槽。该硅片加工用石英舟,通过在硅片上下支撑杆的开设两种槽长,两种槽交替分布,在插入方形硅片时,两种槽有利于擦作人方便辨识,避免误插错,此外由于两种槽长适应两种尺寸硅片,大硅片会发生因错位槽长小无法插入,小硅片错位
一种石英舟与硅片接触位PN结异常的改善工艺.pdf
本发明公开了一种石英舟与硅片接触位PN结异常的改善工艺,包括以下步骤:S1、贴层插片:首先在石英舟的卡槽内壁上均匀贴设有磷源层;S2、初级扩散:将石英舟放入扩散炉内,控制炉内温度为650℃~700℃,并同时向扩散炉内通入氮气,扩散时间为5~10min;S3、次级扩散:控制炉内温度为800~900℃,并同时向炉内通入三氯氧磷气体和氧气,次级扩散时间为8~10min;S4、退火出舟:最后使扩散炉内降温,并对石英舟进行出舟,得到扩散完成的硅片。本发明通过对硅片的两级扩散作用,来实现对扩散形成PN结工艺的改善,使
一种硅片扩散用石英舟的清洗与饱和工艺.pdf
本发明公开了一种硅片扩散用石英舟的清洗与饱和工艺;包括:S1、用纯水冲洗石英舟卡槽内的硅渣;S2、用纯水漂洗石英舟;S3、用氢氟酸和盐酸的混合液浸泡石英舟;S4、用纯水漂洗石英舟,漂洗至石英舟表面吸附的水呈中性;吹干残留水渍;S5、将饱和炉管升温,用大流量氮气吹扫饱和炉管;S6、将石英舟送入到炉管内;升温并通氮气,维持;S7、将炉管抽至低压状态并维持,通入氮气吹扫炉管;S8、向炉管中通入氮气和氧气氧化;S9、通氮气、氧气和小氮饱和处理;S10、重复步骤S8和S9;S11、通入氮气和氧气冷却石英舟;S12、