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(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN115928209A(43)申请公布日2023.04.07(21)申请号202211474676.5(22)申请日2022.11.23(71)申请人浙江金瑞泓科技股份有限公司地址315800浙江省宁波市保税区0125-3地块(72)发明人张海英梁兴勃董燕军黄昆应家敏雷超(74)专利代理机构上海泰博知识产权代理有限公司31451专利代理师钱文斌(51)Int.Cl.C30B28/14(2006.01)C30B29/06(2006.01)H01L21/673(2006.01)权利要求书1页说明书4页附图2页(54)发明名称一种防止硅片崩边的处理工艺以及操作用石英舟(57)摘要本发明涉及一种防止硅片崩边的处理工艺以及操作用石英舟,包括以下操作步骤:步骤一:将清洗干净的石英舟放入多晶炉内(不放硅片),在多晶生长工艺条件下运行设备,使石英舟表面生长一层多晶硅;步骤二:将硅片放置在出现多晶硅的石英舟上,并使得硅片在多晶炉内进行多晶硅的生产;步骤三:将完成达标状态的硅片从石英舟中取下,并换上新的硅片进行生产;步骤四:经过多次生产的石英舟需要取下,并进行清洗,完成后再次重复步骤一至步骤四的操作。本发明具有结构简单、操作成本低、生产效益高、降低了单晶硅片多晶生长过程中崩边的比例等特点。CN115928209ACN115928209A权利要求书1/1页1.一种防止硅片崩边的处理工艺,其特征在于:包括以下操作步骤:步骤一:将清洗干净的石英舟放入多晶炉内(不放硅片),在多晶生长工艺条件下运行设备,使石英舟表面生长一层多晶硅;步骤二:将硅片放置在出现多晶硅的石英舟上,并使得硅片在多晶炉内进行多晶硅的生产;步骤三:将完成达标状态的硅片从石英舟中取下,并换上新的硅片进行生产;步骤四:经过多次生产的石英舟需要取下,并进行清洗,完成后再次重复步骤一至步骤四的操作。2.根据权利要求1所述的一种防止硅片崩边的石英舟,其特征在于:步骤一中,石英舟表面的多晶硅厚度在0.6~0.8μm之间。3.根据权利要求1所述的一种防止硅片崩边的石英舟,其特征在于:石英舟清洗时,用硝酸、氢氟酸和水的混合溶液清洗,完成后需要进行烘干。4.根据权利要求3所述的一种防止硅片崩边的石英舟,其特征在于:硝酸、氢氟酸和水的配比为:3:1:4。5.一种如权利要求1所述的一种防止硅片崩边的处理工艺中操作用石英舟,其特征在于:包括端部弧形支架(1)、底部纵向支脚(2)和侧部支架(4),所述的端部弧形支架(1)共有两个呈前后并排布置,两个端部弧形支架(1)中部之间设置有呈左右对称布置的两个底部纵向支脚(2),两个端部弧形支架(1)的两端上通过两个对称布置的侧部支架(4)连接,所述的底部纵向支脚(2)和侧部支架(4)上均设置有定位支架(3),所述的定位支架(3)上均匀设置有卡槽(5),所述的定位支架(3)采用石英材料制成。6.根据权利要求1所述的一种防止硅片崩边的石英舟,其特征在于:所述的卡槽(5)上开口朝两侧张开。2CN115928209A说明书1/4页一种防止硅片崩边的处理工艺以及操作用石英舟技术领域[0001]本发明涉及多晶生长工艺技术领域,特别是涉及一种防止硅片崩边的处理工艺以及操作用石英舟。背景技术[0002]随着集成电路技术的发展,对单晶硅片的洁净度要求也随之提高,因此外吸杂工艺(在硅片背面生长一层多晶)的应用比例也呈上升趋势。而在单晶硅片背面生长多晶的过程中,发现经过多晶工艺后硅片崩边的比例较高,导致生产良率降低。因此,如何去降低单晶硅片崩边,从而提高多晶工序的良率是厂家急需着重解决的问题。[0003]在现有的研究中,人们更多的是从多晶硅生长工艺以及石英舟的结构去解决单晶硅崩边的问题。而石英舟经过机械加工、焊接及退火等多道工序,制备得到的石英舟微观结构及光洁度都很难完全符合多晶硅加工要求。发明内容[0004]本发明所要解决的技术问题是提供一种防止硅片崩边的处理工艺以及操作用石英舟,具有结构简单、操作成本低、生产效益高、降低了单晶硅片多晶生长过程中崩边的比例等特点。[0005]本发明解决其技术问题所采用的技术方案是:提供一种防止硅片崩边的处理工艺,包括以下操作步骤:步骤一:将清洗干净的石英舟放入多晶炉内(不放硅片),在多晶生长工艺条件下运行设备,使石英舟表面生长一层多晶硅;步骤二:将硅片放置在出现多晶硅的石英舟上,并使得硅片在多晶炉内进行多晶硅的生产;步骤三:将完成达标状态的硅片从石英舟中取下,并换上新的硅片进行生产;步骤四:经过多次生产的石英舟需要取下,并进行清洗,完成后再次重复步骤一至步骤四的操作。[0006]硅片崩边的主要原因在于,硅片放入到石英舟并一起进入到多晶炉进行生长时,硅片与石英舟的对接点上会产生相互结合的多晶硅,这