一种石英舟与硅片接触位PN结异常的改善工艺.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN107475775A(43)申请公布日2017.12.15(21)申请号201710689671.7(22)申请日2017.08.14(71)申请人通威太阳能（安徽）有限公司地址230088安徽省合肥市高新区长宁大道与习友路交口西南角(72)发明人刘文国苏世杰李强强张玉前周守亮(74)专利代理机构昆明合众智信知识产权事务所53113代理人张玺(51)Int.Cl.C30B31/06(2006.01)C30B33/02(2006.01)C30B29/06(2006.01)权利要求书1页说明书3页附图2页(54)发明名称一种石英舟与硅片接触位PN结异常的改善工艺(57)摘要本发明公开了一种石英舟与硅片接触位PN结异常的改善工艺，包括以下步骤：S1、贴层插片：首先在石英舟的卡槽内壁上均匀贴设有磷源层；S2、初级扩散：将石英舟放入扩散炉内，控制炉内温度为650℃～700℃，并同时向扩散炉内通入氮气，扩散时间为5～10min；S3、次级扩散：控制炉内温度为800～900℃，并同时向炉内通入三氯氧磷气体和氧气，次级扩散时间为8～10min；S4、退火出舟：最后使扩散炉内降温，并对石英舟进行出舟，得到扩散完成的硅片。本发明通过对硅片的两级扩散作用，来实现对扩散形成PN结工艺的改善，使得硅片的扩散效果更加均匀，有效的减少了石英舟与硅片接触位PN结异常现象发生的情况，大大提高了硅片的优品率。CN107475775ACN107475775A权利要求书1/1页1.一种石英舟与硅片接触位PN结异常的改善工艺，其特征在于，包括以下步骤：S1、贴层插片：首先在石英舟的卡槽内壁上均匀贴设有磷源层，然后将硅片对应插设在石英舟的卡槽内；S2、初级扩散：将石英舟放入扩散炉内，控制炉内温度为650℃～700℃，并同时向扩散炉内通入氮气，扩散时间为5～10min；S3、次级扩散：然后停止通入氮气，控制炉内温度为800～900℃，并同时向炉内通入三氯氧磷气体和氧气，次级扩散时间为8～10min；S4、退火出舟：最后使扩散炉内降温，并对石英舟进行出舟，得到扩散完成的硅片。2.根据权利要求1所述的一种石英舟与硅片接触位PN结异常的改善工艺，其特征在于：步骤S1中，磷源层为内部扩散有磷源的硅板，且石英舟的每个卡槽内仅插设有单一硅片。3.根据权利要求1所述的一种石英舟与硅片接触位PN结异常的改善工艺，其特征在于：步骤S2中，通入的氮气流量值设定为10～20L/min。4.根据权利要求1所述的一种石英舟与硅片接触位PN结异常的改善工艺，其特征在于：步骤S3中，通入的三氯氧磷气体和氧气的流量值均设定为7～12L/min。2CN107475775A说明书1/3页一种石英舟与硅片接触位PN结异常的改善工艺技术领域[0001]本发明涉及硅片扩散技术领域，具体为一种石英舟与硅片接触位PN结异常的改善工艺。背景技术[0002]目前国内的硅片生产线上，经常出现石英舟卡槽印污染，卡槽污染基本都为硅片刻蚀端上料可见的黄斑或其他颜色，均为外观异常。[0003]现有技术中，在石英舟对硅片的扩散过程中，还存在一个缺陷，就是在扩散过程中，石英舟与硅片接触位形成的PN结由于石英舟卡槽的遮挡，导致扩散不均匀，使得接触位处的PN结容易发生异常情况，而且工作人员仅仅通过外观观察不出，所以需要通过改善扩散工艺，来实现对石英舟与硅片接触位形成的PN结的改善，减少异常情况的发生。发明内容[0004]本发明的目的在于提供一种石英舟与硅片接触位PN结异常的改善工艺，以解决上述背景技术中提出的问题。[0005]为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：[0006]一种石英舟与硅片接触位PN结异常的改善工艺，包括以下步骤：[0007]S1、贴层插片：首先在石英舟的卡槽内壁上均匀贴设有磷源层，然后将硅片对应插设在石英舟的卡槽内；[0008]S2、初级扩散：将石英舟放入扩散炉内，控制炉内温度为650℃～700℃，并同时向扩散炉内通入氮气，扩散时间为5～10min；[0009]S3、次级扩散：然后停止通入氮气，控制炉内温度为800～900℃，并同时向炉内通入三氯氧磷气体和氧气，次级扩散时间为8～10min；[0010]S4、退火出舟：最后使扩散炉内降温，并对石英舟进行出舟，得到扩散完成的硅片。[0011]优选的，步骤S1中，磷源层为内部扩散有磷源的硅板，且石英舟的每个卡槽内仅插设有单一硅片。[0012]优选的，步骤S2中，通入的氮气流量值设定为10～20L/min。[0013]优选的，步骤S3中，通入的三氯氧磷气体和氧气的流量值均设定为7～12L/min。[0014]与现有技术相比，本发明的有益效果是：[0015]本发明首先在石英舟与硅片的接触位的卡槽处设