GaN基微型LED阵列器件的制备方法及阵列器件.pdf
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GaN基微型LED阵列器件的制备方法及阵列器件.pdf
本发明涉及一种GaN基微型LED阵列器件的制备方法,该方法在LED阵列器件的外延结构上生长一层ITO薄膜,然后采用掩膜对外延结构非像素点区域的ITO薄膜进行湿法刻蚀,保留像素点区域的ITO薄膜作为像素点P电极的欧姆接触层。
微型LED器件、微型LED阵列及制造方法.pdf
本发明提供了一种微型LED器件、微型LED阵列及制造方法,涉及半导体发光器件技术领域。具体地,通过离子注入破坏被注入区域的晶格结构和电学性能,形成两个高电阻区,该区域具有较高的电阻,以限定LED的发光主要发生在未被离子注入的区域。本发明保留了LED外延层的平面结构,避免了在LED发光区域外围形成台阶结构,有利于器件的微缩,有利于在器件间形成复杂的互联和阵列结构。
GaN基HEMT器件的制备方法.pdf
本发明提供一种GaN基HEMT器件的制备方法,可以将自支撑GaN单晶衬底上同质外延的高质量AlGaN/GaN结构转移至支撑衬底,在简单处理去除表面的残留层后,生长源、漏、栅电极即可获得高性能的GaN基HEMT器件;自支撑GaN单晶衬底没有损耗,可以回收循环利用,从而大大降低成本;根据不同支撑衬底的材料特点,可实现GaN基HEMT器件与支撑衬底的异质集成,发挥GaN基HEMT器件的不同优势,以提升GaN基HEMT器件的性能,使得GaN基HEMT器件在高频率、高功率状态下可长时间稳定工作;可应用于制备N极性面
一种倒装GaN HEMT器件阵列的转移和异质集成方法及其器件阵列.pdf
本发明涉及一种倒装GaNHEMT器件阵列的转移和异质集成方法及其器件阵列,该方法通过设置包含有重掺杂GaN牺牲层和阻断漏电流通路的高阻层的GaNHEMT器件阵列结构,在器件的表面覆盖钝化绝缘层保护器件,通过在钝化绝缘层上开设通孔暴露源漏和栅极进而通过键合金属将其键合至目标基底,进一步地结合特定的电化学腐蚀方法,将HEMT阵列从刚性衬底释放,实现了器件阵列的无损剥离,释放了材料内部的应力,有效的解决了缓冲层和衬底漏电的问题,极大的提升了HEMT器件的性能,为HEMT器件与目标基底的异构集成提供了新渠道,
微型LED器件制备方法、微型LED器件以及显示装置.pdf
本公开提供了一种微型LED器件制备方法、微型LED器件及显示装置。该方法包括:提供微型LED外延片,该外延片依次包括衬底、第一半导体层、量子阱结构和第二半导体层;从第二半导体层开始进行刻蚀直至暴露出第一半导体层,得到台面结构,台面结构包括至少一个凸台;在台面结构上设置消光层并在消光层上开设接触孔,以暴露出部分第一半导体层和部分第二半导体层,每个凸台上方的消光层上开设有多个接触孔;在暴露出的部分第一半导体层和部分第二半导体层上设置金属层;在金属层上设置金属块,得到微型LED芯片阵列;通过金属块将芯片阵列与驱