基板处理装置及基板处理方法.pdf
Ma****57
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基板处理装置及基板处理方法.pdf
使具有异形部分的未被预对准的基板的定位精度提升。基板处理装置包含:平台,用于支承基板;垫保持架,用于保持研磨垫,研磨垫用于研磨被支承在平台的基板;升降机构,用于使垫保持架相对于基板升降;及至少3个定心机构400A、400B、400C,用于向平台的中心方向按压被支承在平台的基板以进行对位,至少3个定心机构400A、400B、400C分别包含:被配置在平台的周围的旋转轴430、及被安装在旋转轴430的定心构件440,定心构件440包含:旋转轴430向第1方向旋转时与基板WF接触的第1接触部440a、及旋转轴4
基板处理装置及基板处理方法.pdf
本发明提供基板处理装置及基板处理方法。基板处理装置(1)具备处理液罐(30)、第一循环配管(31)、过滤器(39)、泵(37)和控制部(3A)。第一循环配管(31)的上游端(31a)与处理液罐(30)连接,并且下游端(31b)与处理液罐(30)连接,使处理液循环。过滤器(39)配置于第一循环配管(31),捕捉处理液所含的颗粒。泵(37)配置于第一循环配管(31)。泵(37)具有旋转体(371),通过使旋转体(371)旋转来送出处理液。在驱动停止状态的泵(37)的情况下,控制部(3A)控制泵(37),以使旋
基板处理方法和基板处理装置.pdf
本发明提供基板处理方法和基板处理装置,能够缩短在使用多种处理气体对基板连续地实施多个处理时所需要的时间。在具有腔室(11)和向该腔室导入处理气体的处理气体导入管路(12)的导入管(19)的基板处理装置(10)中,在对自上方以第1层、第2层以及第3层的顺序层叠有第1层、第2层以及第3层的基板(S)连续地实施蚀刻处理时,在蚀刻第1层后,使置换气体流入到导入管中而将残留在导入管、腔室中的第1蚀刻气体挤出而排出,在蚀刻第2层后,使置换气体流入到导入管中而将残留在导入管、腔室中的第2蚀刻气体挤出而排出,在蚀刻第3层
基板处理装置及基板处理方法.pdf
本发明的课题在于预先防止与狭缝喷嘴一体地下降的喷嘴防护件踩踏突出物而对处理液向基板的涂布带来不良影响的情况。本发明提供一种基板处理装置及基板处理方法。本发明包括:狭缝喷嘴,具有狭缝状的吐出口;移动机构,使狭缝喷嘴相对于基板相对地移动;喷嘴防护件,在狭缝喷嘴通过移动机构而相对于基板相对地行进的喷嘴行进方向上配置于狭缝喷嘴的前方侧,并与狭缝喷嘴一体地移动;升降机构,使狭缝喷嘴与喷嘴防护件一体地升降;以及碰撞探测部,探测通过升降机构下降的喷嘴防护件的前端在基板的表面侧向上方突出并与阻碍处理液的涂布的突出物碰撞。
基板处理装置及基板处理方法.pdf
本发明涉及基板处理装置及基板处理方法,其中基板处理装置包括:负载锁定腔室;传送腔室,配置在所述负载锁定腔室的一侧;处理腔室,配置在所述传送腔室的一侧;及基板移送机器人,配置在所述传送腔室内部,在所述负载锁定腔室与所述处理腔室之间移送基板。所述处理腔室包括:多个基板支撑架,在所述处理腔室内部支撑基板;多个气体喷射体,将工序气体分别喷射到所述多个支撑架上;及转台,在所述多个基板支撑架之间移送基板;第一闸门,导入未处理基板;第二闸门,导出处理基板,所述基板移送机器人通过所述第一闸门与所述第二闸门分别单独移送所述