带有改进的连接结构的构件和用于制造构件的方法.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN115956302A(43)申请公布日2023.04.11(21)申请号202180050836.0(74)专利代理机构北京市柳沈律师事务所(22)申请日2021.08.0611105专利代理师张建锋(30)优先权数据102020123386.82020.09.08DE(51)Int.Cl.H01L33/62(2006.01)(85)PCT国际申请进入国家阶段日2023.02.17(86)PCT国际申请的申请数据PCT/EP2021/0720582021.08.06(87)PCT国际申请的公布数据WO2022/053236DE2022.03.17(71)申请人艾迈斯-欧司朗国际有限责任公司地址德国雷根斯堡(72)发明人A·莱伯C·拉斐尔权利要求书3页说明书12页附图10页(54)发明名称带有改进的连接结构的构件和用于制造构件的方法(57)摘要本发明涉及一种构件(10)，其带有半导体主体(2)、绝缘结构(3)和连接结构(4)，其中，半导体主体(2)具有第一半导体层(21)、第二半导体层(22)和介于二者之间的有源区(23)。连接结构(4)包括连接层(42)，所述连接层尤其与第二半导体层(22)形成直接的电接触。绝缘结构(3)不仅邻接第二半导体层(22)也邻接连接层(42)，其中，绝缘结构(3)横向地包围连接层(42)并且在俯视图中部分地覆盖连接层。所述连接结构(4)具有与所述连接层(42)电接触的导通触点(420)，所述导通触点在垂直方向上延伸穿过所述绝缘结构(3)。构件(10)具有作为安装面的背侧(12)，所述背侧结构化地实施并且至少局部地由连接结构(4)的表面构成。导通触点(420)实施为单独的、一体式实施的接触柱或连贯的接触层(40)的一体式部件。此外，此外提出一种用于制CN115956302A造构件、尤其这种构件(10)的方法。CN115956302A权利要求书1/3页1.一种构件(10)，具有半导体主体(2)、绝缘结构(3)和连接结构(4)，其中，‑半导体主体(2)具有第一半导体层(21)、第二半导体层(22)和位于第一半导体层与第二半导体层之间的有源区(23)，‑连接结构(4)包括连接层(42)，所述连接层尤其与第二半导体层(22)形成直接的电接触，‑绝缘结构(3)不仅邻接第二半导体层(22)也邻接连接层(42)，其中，绝缘结构(3)横向地包围连接层(42)并且在俯视图中部分地覆盖连接层，‑构件(10)具有作为安装面的背侧(12)，所述背侧结构化地实施并且至少局部地由连接结构(4)的表面构成，并且‑所述连接结构(4)具有与所述连接层(42)电接触的导通触点(420)，所述导通触点在垂直方向上延伸穿过所述绝缘结构(3)，其中，‑导通触点(420)实施为单独的、一体式实施的接触柱，在连接层(42)上布置在绝缘结构(3)的开口中，沿垂直方向从绝缘结构(3)突伸出来并且在构件(10)的背侧(12)是可自由接触的，或者‑连接结构(4)具有连贯的接触层(40)，其中，导通触点(420)实施为连贯的接触层(40)的一体式部件，其中，背侧(12)具有局部凹陷(51)，所述局部凹陷的底面至少部分地由导通触点(420)的表面构成。2.根据权利要求1所述的构件(10)，其中，背侧(12)具有局部凹陷(51)或局部隆起，所述局部凹陷或布局隆起的表面至少部分地由导通触点(420)的表面构成。3.根据前述权利要求中任一项所述的构件(10)，其中，导通触点(420)沿横向方向相互空间间隔，其中，导通触点(420)构造为构件(10)的多个单独的接触柱，所述接触柱仅通过连接层(42)相互导电连接。4.根据前述权利要求中任一项所述的构件(10)，其中，绝缘结构(3)具有在连接层(42)上的开口，导通触点(420)布置在所述开口中，其中，导通触点(420)沿垂直方向从绝缘结构(3)突伸出来，沿横向方向与绝缘结构(3)通过一个中间区域(8)或通过多个中间区域(8)相间隔，并且构件(10)的背侧(12)是可自由接触的。5.根据权利要求1所述的构件(10)，其中，背侧(12)具有局部凹陷(51)，所述凹陷的底面至少部分地由导通触点(420)的表面构成。6.根据权利要求1或5所述的构件(10)，其中，连接结构(4)具有连贯的接触层(40)，其中，导通触点(420)实施为连贯的接触层(40)的一体式部件。7.根据权利要求1、5至6中任一项所述的构件(10)，其中，背侧(12)实施为可自由接触的且结构化，并且具有局部凹陷(51)以及局部隆起(52)，其中，‑局部隆起(52)是连接结构(4)的部件并且不同于导通触点(420)，并且‑背侧(12)的总面积的至少50％由连接结构(4)的粗糙化的或条状的表面构成