一种挠性覆铜板的制备方法.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN115948712A(43)申请公布日2023.04.11(21)申请号202211645091.5(22)申请日2022.12.21(71)申请人中国科学院兰州化学物理研究所地址730000甘肃省兰州市城关区天水中路18号(72)发明人张广安王福张斌尚伦霖(74)专利代理机构北京高沃律师事务所11569专利代理师霍苗(51)Int.Cl.C23C14/20(2006.01)C23C14/48(2006.01)C23C14/02(2006.01)C23C14/35(2006.01)权利要求书1页说明书5页附图2页(54)发明名称一种挠性覆铜板的制备方法(57)摘要本发明涉及挠性覆铜板技术领域，尤其涉及一种挠性覆铜板的制备方法。本发明提供了一种挠性覆铜板的制备方法，包括以下步骤：采用高能量非金属离子束，对聚合物薄膜的表面进行刻蚀活化，得到活化后的聚合物薄膜；采用磁控溅射，在所述活化后的聚合物薄膜的表面注入金属离子，得到聚合物‑金属互穿网络结构界面；在所述聚合物‑金属互穿网络结构界面沉积铜薄膜，在沉积铜薄膜的同时，采用间歇性Ar+轰击所述铜薄膜。所述制备方法可以显著提高挠性覆铜板表层铜薄膜与聚合物基材之间的剥离强度。CN115948712ACN115948712A权利要求书1/1页1.一种挠性覆铜板的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：采用高能量非金属离子束，对聚合物薄膜的表面进行刻蚀活化，得到活化后的聚合物薄膜；采用磁控溅射，在所述活化后的聚合物薄膜的表面注入金属离子，得到聚合物‑金属互穿网络结构界面；在所述聚合物‑金属互穿网络结构界面沉积铜薄膜，在沉积铜薄膜的同时，采用间歇性Ar+轰击所述铜薄膜，得到所述挠性覆铜板。2.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述聚合物薄膜为聚酰亚胺薄膜或聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜。3.如权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于，进行所述刻蚀活化前，还包括对所述聚合物薄膜进行溶剂清洗；所述溶剂清洗采用的溶剂为石油醚或酒精；所述溶剂清洗在超声的条件下进行，所述超声的时间为5～15min。4.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述刻蚀活化在真空的条件下进行；所述真空的真空度<1×10‑4Pa。5.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述高能量非金属离子束为Ar+、Ar++H+或Ar++N+；所述Ar+由Ar产生的等离子体，所述Ar的流量为80sccm；++所述Ar+H由Ar+H2产生的等离子体，所述Ar和H2的流量分别为80sccm和20sccm；++所述Ar+N由Ar+N2产生的等离子体，所述Ar和N2的流量分别为80sccm和20sccm。6.如权利要求1、4或5所述的制备方法，其特征在于，所述刻蚀活化的偏置电压为‑200～‑250V，时间为5～20min。7.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述金属离子对应的金属元素为Cr、Ni、Nb或Cu。8.如权利要求1或7所述的制备方法，其特征在于，所述磁控溅射的条件为：Ar流量为180～250sccm，基材偏置电压为‑60～‑100V，金属靶功率为2.0～3.0kW，溅射气压为0.3～0.5Pa，沉积时间为2～5min。9.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述沉积铜薄膜的条件为：Ar流量为150～250sccm，基材偏置电压为‑50V，铜靶功率为2.0kW，溅射气压为0.4Pa。10.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述间歇性Ar+轰击的条件为：Ar流量为30～60sccm，基材偏置电压为‑120～‑200V，溅射气压为0.05～0.2Pa，每间隔5～10min进行一次离子轰击，每次离子轰击的时间为3～5min。2CN115948712A说明书1/5页一种挠性覆铜板的制备方法技术领域[0001]本发明涉及挠性覆铜板技术领域，尤其涉及一种挠性覆铜板的制备方法。背景技术[0002]挠性覆铜板(FCCL)是指在聚酯(PET)或聚酰亚胺(PI)薄膜等挠性绝缘材料的单面或双面，通过一定的工艺处理，与铜箔粘接在一起所形成的覆铜板。广泛用于航空航天设备、导航设备、飞机仪表、制导系统以及手机、数码相机、数码摄像机、汽车卫星方向定位装置、液晶电视和笔记本电脑等电子产品中。随着电子技术的快速发展，FCCL的掺量稳定增长，生产规模不断扩大，特别是以聚酰亚胺薄膜为基材的高性能FCCL，其需求和增长趋势明显。[0003]挠性覆铜板的传统制备方法是利用胶粘剂将柔性基材薄膜与金属铜箔进行粘合。除此之外，还有层压法、涂覆法和溅镀法。层压法以PI树脂为基材，在其单面或双面涂覆热塑性PI树脂，先高温硬化再利用高温高压将热塑性PI树脂重新熔融与铜箔压合形成产品。生产设备简单，产品粘合性好，尺寸