内容提供者
电容结构及其制备方法.pdf
2023-05-25
10金币
1.5MB
20页
一条****ee
实名认证
内容提供者
1/10
2/10
3/10
4/10
5/10
6/10
7/10
8/10
9/10
10/10
亲，该文档总共20页，到这已经超出免费预览范围，如果喜欢就直接下载吧～
相关资料
电容结构及其制备方法.pdf
本发明属于半导体技术领域,具体涉及一种电容结构及其制备方法,用于解决电容结构性能较差的技术问题。该电容结构的制备方法包括:在第一电极上形成介电层,介电层包括掺杂有预设氧化物的金属氧化物层,且部分预设氧化物与金属氧化物共用氧原子;在介电层上形成第二电极,第一电极、介电层和第二电极形成电容结构。通过形成部分预设氧化物与部分金属氧化物共用氧原子的金属氧化物层,可以减少氧的含量,从而减小预设氧化物导致电容结构的介电常数降低的影响,以提高电容结构的性能。此外,使得预设氧化物可以较好地掺杂在金属氧化物层中,进一步提高
2023-05-25
10
1.5MB
电容结构及其制备方法、半导体结构.pdf
本申请涉及一种电容结构及其制备方法、半导体结构。电容结构包括：第一极板；介质叠层，包括依次层叠设置的第一介质层、第二介质层及第三介质层，所述第一介质层位于所述第一极板的表面；其中，所述第一介质层的折射率与所述第三介质层的折射率均低于所述第二介质层的折射率；第二极板，位于所述第三介质层远离所述第一极板的表面。本申请的电容结构的介质叠层的具备较高的介电常数值，电容密度得到提升，第一介质层的折射率与第三介质层的折射率均低于第二介质层的折射率，使得直接与电容上下极板接触的介质层的应力较低，解决了提升电容密度造成介
2023-06-02
10
877KB
铁电电容器结构及其制备方法.pdf
本发明提供了一种铁电电容器结构,包括:衬底层(1),以及依次叠设于所述衬底层(1)上的缓冲层(2)、第一电极(3)、介质层(4)和第二电极(5),所述衬底层(1)为柔性衬底,所述介质层为HfO<base:Sub>2</base:Sub>铁电介质。本发明还提供了一种该铁电电容器结构的制备方法。本发明通过在柔性衬底上生长一层缓冲层,使得表面粗糙度降低,大大减小了器件的漏电流,并且使得铁电薄膜内部电场分布均匀,提高了器件的可靠性。
2023-06-07
10
1MB
MIM电容结构及MIM电容的制备方法.pdf
本发明实施例涉及一种MIM电容的制备方法以及一种MIM电容结构，包括：提供由前段工艺形成的器件结构；在所述器件结构中形成凹槽；形成连续的第一金属结构，所述第一金属结构形成于所述凹槽底部、所述凹槽的侧壁、并延伸至所述凹槽外的器件结构的表面；在所述第一金属结构上形成电容介质结构；在电容介质结构上形成第二金属结构；利用第一光刻掩膜版，去除掉所述第一金属结构、电容介质结构以及第二金属结构的边缘部分，保留形成于所述凹槽内、部分延伸至所述凹槽外的第一金属结构、电容介质结构及第二金属结构，分别作为所述MIM电容的下极板
2023-11-14
10
1MB
电容结构的制备方法、电容结构及存储器.pdf
本发明属于半导体工艺技术领域,具体涉及一种电容结构的制备方法、电容结构及存储器,用于解决电容结构漏电流较大的技术问题。该电容结构的制备方法包括:在第一电极上形成介电层;其中,介电层包括堆叠设置的第一无定形层和高介电常数层,第一无定形层退火后保持无定形结构,高介电常数层由初始介电常数层退火后结晶形成;在介电层上形成第二电极。由于第一无定形层退火后仍为无定形结构,可以抑制电子传输,从而降低了电容结构的漏电流。
2023-05-25
10
1.5MB