一种半导体结构的制备方法、半导体结构和电容结构.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN113594096A(43)申请公布日2021.11.02(21)申请号202110817629.5(22)申请日2021.07.20(71)申请人长鑫存储技术有限公司地址230000安徽省合肥市经济技术开发区空港工业园兴业大道388号(72)发明人邱定中(74)专利代理机构北京派特恩知识产权代理有限公司11270代理人张竞存张颖玲(51)Int.Cl.H01L21/8242(2006.01)H01L27/108(2006.01)H01L49/02(2006.01)权利要求书2页说明书9页附图5页(54)发明名称一种半导体结构的制备方法、半导体结构和电容结构(57)摘要本申请实施例提供了一种半导体结构的制备方法、半导体结构和电容结构，该制备方法包括：提供基底，基底表面具有多个盲孔或沟槽；于多个盲孔或沟槽内形成填充层，填充层的顶面与基底的顶面平齐；于填充层的顶面和基底的顶面上形成覆盖层；其中，覆盖层包括至少一个叠层结构，一个叠层结构包括一层第一覆盖层和一层第二覆盖层，且第一覆盖层的掺杂材料源和第二覆盖层的掺杂材料源不同。这样，采用包含第一覆盖层和第二覆盖层的叠层结构实现覆盖层，不仅能够避免沉积过程中的应力累积问题，而且改善了覆盖层的均匀度和表面粗糙度，还能够平衡结构阻值，从而提高了半导体结构的性能。CN113594096ACN113594096A权利要求书1/2页1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，所述方法包括：提供基底，所述基底表面具有多个盲孔或沟槽；于所述多个盲孔或沟槽内形成填充层，所述填充层的顶面与所述基底的顶面平齐；于所述填充层的顶面和所述基底的顶面上形成覆盖层；其中，所述覆盖层包括至少一个叠层结构，一个所述叠层结构包括一层第一覆盖层和一层第二覆盖层，且所述第一覆盖层的掺杂材料源和所述第二覆盖层的掺杂材料源不同。2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述第一覆盖层和所述第二覆盖层在同一个反应腔室中形成。3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述于所述填充层的顶面和所述基底的顶面上形成覆盖层，包括：在所述填充层的顶面和所述基底的顶面上堆叠形成至少一个所述叠层结构，直至形成所述覆盖层的厚度满足预设厚度。4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述于所述填充层的顶面和所述基底的顶面上形成至少一个所述叠层结构，包括：在所述填充层的顶面和所述基底的顶面上形成一层所述第一覆盖层，在所述第一覆盖层上形成一层所述第二覆盖层；循环执行在所述第二覆盖层上形成一层所述第一覆盖层以及在所述第一覆盖层上形成一层所述第二覆盖层的步骤，以形成N个所述叠层结构；其中，N为正整数。5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述预设厚度为50～300纳米，所述N的取值范围为5～20。6.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述填充层的材料源和所述覆盖层的材料源均包括主体材料源和掺杂材料源。7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述主体材料源包括硅源，所述掺杂材料源包括锗源和硼源；所述第一覆盖层的材料源包括所述硅源和所述锗源，所述第二覆盖层的材料源为所述硅源和所述硼源。8.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，所述形成一层所述第一覆盖层，包括：控制反应腔室的压力为第一压力值，控制所述反应腔室的温度为第一温度值；其中，所述反应腔室容置有所述基底；以第一流量向所述反应腔室通入所述硅源，以第二流量向所述反应腔室通入所述锗源，经过第一预设时长后形成一层所述第一覆盖层。9.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，所述第一温度值的取值范围为300～600摄氏度，所述第一压力值的取值范围为100～1200毫托，所述第一流量的取值范围为300～700标准毫升/分钟，所述第二流量的取值范围为1000～1600标准毫升/分钟，所述第一预设时长的取值范围为9～24分钟。10.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，所述形成一层所述第二覆盖层，包括：控制所述反应腔室的压力为第二压力值，控制所述反应腔室的温度为第二温度值；以第三流量向所述反应腔室通入所述硅源，以第四流量向所述反应腔室通入所述硼2CN113594096A权利要求书2/2页源，经过第二预设时长后形成一层所述第二覆盖层。11.根据权利要求10所述的制备方法，其特征在于，所述第二温度值的取值范围为300～600摄氏度，所述第二压力值的取值范围为100～1200毫托，所述第三流量的取值范围为300～700标准毫升/分钟，所述第四流量的取值范围为50～200标准毫升/分钟，所述第二预设时长的取值范围为3～3.5分钟。12.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，在形成所述填充层时锗源的流量低于在形