栅氧化层测试结构.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN115954343A(43)申请公布日2023.04.11(21)申请号202310219503.7(22)申请日2023.03.09(71)申请人合肥晶合集成电路股份有限公司地址230012安徽省合肥市新站区合肥综合保税区内西淝河路88号(72)发明人鲍丙辉曲厚任项宁(74)专利代理机构上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)31237专利代理师周耀君(51)Int.Cl.H01L23/544(2006.01)H01L29/423(2006.01)权利要求书2页说明书9页附图4页(54)发明名称栅氧化层测试结构(57)摘要本发明提供了一种栅氧化层测试结构，包括：衬底，所述衬底包含器件区与虚拟区，所述虚拟区位于所述器件区的边缘，所述衬底内形成有多个隔离结构，和由所述隔离结构限定的有源区；位于所述衬底上的栅氧化层，以及位于所述栅氧化层上的栅极；其中，所述器件区与所述虚拟区内的所述栅氧化层相并联。本发明通过将器件区与虚拟区内的栅氧化层并联，以此提高所述栅氧化层的检测面积，从而更有效地监控所述栅氧化层的击穿电压，提高WAT的检测能力，能够更好地反应制程问题，减少客诉。CN115954343ACN115954343A权利要求书1/2页1.一种栅氧化层测试结构，其特征在于，包括：衬底，所述衬底包含器件区与虚拟区，所述虚拟区位于所述器件区的边缘，所述衬底内形成有多个隔离结构，和由所述隔离结构限定的有源区；位于所述衬底上的栅氧化层，以及位于所述栅氧化层上的栅极；其中，所述器件区与所述虚拟区内的所述栅氧化层相并联。2.如权利要求1所述的栅氧化层测试结构，其特征在于，所述栅氧化层测试结构还包括金属互连结构，在所述器件区与所述虚拟区内，所述有源区的顶部均通过所述金属互连结构连接至第一焊垫，所述栅极的顶部均通过所述金属互连结构连接至第二焊垫。3.如权利要求2所述的栅氧化层测试结构，其特征在于，所述金属互连结构包含有源区第一金属层、有源区第二金属层、有源区第一金属插塞与有源区第二金属插塞；在所述器件区与所述虚拟区内，所述有源区的顶部通过所述有源区第一金属插塞与所述有源区第一金属层相连接，所述有源区第一金属层通过所述有源区第二金属插塞与所述有源区第二金属层相连接，与所有的所述有源区连接的所述有源区第二金属层彼此连接并连接至所述第一焊垫。4.如权利要求3所述的栅氧化层测试结构，其特征在于，所述金属互连结构还包含有源区第三金属层与有源区第三金属插塞；所述有源区第二金属层通过所述有源区第三金属插塞与所述有源区第三金属层相连接，所述有源区第三金属层连接至所述第一焊垫。5.如权利要求2所述的栅氧化层测试结构，其特征在于，所述金属互连结构包含栅极第一金属层与栅极第一金属插塞；在所述器件区与所述虚拟区内，所述栅极的顶部通过所述栅极第一金属插塞与所述栅极第一金属层相连接，与所有的所述栅极连接的所述栅极第一金属层彼此连接并连接至所述第二焊垫。6.如权利要求5所述的栅氧化层测试结构，其特征在于，所述金属互连结构还包含栅极第二金属层、栅极第三金属层、栅极第二金属插塞与栅极第三金属插塞；所述栅极第一金属层通过所述栅极第二金属插塞与所述栅极第二金属层相连接，所述栅极第二金属层通过所述栅极第三金属插塞与所述栅极第三金属层相连接，所述栅极第三金属层连接至所述第二焊垫。7.如权利要求1所述的栅氧化层测试结构，其特征在于，所述虚拟区位于所述器件区的两侧；或者，所述虚拟区位于所述器件区的四周。8.如权利要求1所述的栅氧化层测试结构，其特征在于，在所述虚拟区内，在第一方向上，所述栅极的尺寸小于所述有源区的尺寸，在第二方向上，所述栅极的尺寸大于所述有源区的尺寸；其中，所述第一方向与所述第二方向垂直，且所述第一方向与所述第二方向组成的平面平行于所述衬底。9.如权利要求8所述的栅氧化层测试结构，其特征在于，在所述第一方向上，所述有源区的尺寸为2μm±0.01μm，所述栅极的尺寸为1.8μm±0.006μm；在所述第二方向上，所述有源区的尺寸为1μm±0.01μm，所述栅极的尺寸为1.2μm±0.006μm。10.如权利要求9所述的栅氧化层测试结构，其特征在于，在所述第一方向上，相邻所述有源区之间的间距为1.4μm±0.01μm；在所述第二方向上，相邻所述有源区之间的间距为1.4μm±0.01μm；在所述第一方向上相邻的所述有源区的边缘在所述第二方向上的间隔为0μm±0.01μ2CN115954343A权利要求书2/2页m；在所述第二方向上相邻的所述有源区的边缘在所述第一方向上的间隔为0.8μm±0.01μm。3CN115954343A说明书1/9页栅氧化层测试结构技术领域[0001]本发明涉及集成电路技术领域，特别涉及一种栅氧化层测试