薄膜沉积设备.pdf
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相关资料
薄膜沉积设备及薄膜沉积方法.pdf
本发明公开了一种薄膜沉积设备及薄膜沉积方法。该薄膜沉积设备包括一薄膜沉积腔,该薄膜沉积腔包括:腔体外壳,腔体外壳围成薄膜沉积腔的腔体;靶材托架,设置于腔体的中部,用于放置由组分A构成的靶材;基片台,设置于腔体中部,与靶材托架相对设置;激光入射口,设置于腔体外壳的侧面,与并靶材托架倾斜相对,用于入射激光以轰击靶材托架上的靶材产生等离子体羽辉;束源炉接口,设置于腔体外壳的侧面并与基片台倾斜相对,用于入射由组分B构成的分子束流;激光入射口与束源炉接口同时入射激光和分子束流。本发明能够有效避免脉冲激光沉积成膜过程
薄膜沉积设备.pdf
本发明提供一种薄膜沉积设备,包括:用于承载基板的基座、夹持模块和旋转模块;夹持模块包括两个以上夹持器及第一驱动单元,夹持器与基板的边缘形貌相匹配,第一驱动单元包括推杆及气缸,推杆与夹持器及气缸相连接,在气缸驱动下,推杆带动夹持器移动,以自基板侧面对基板进行夹紧或释放;旋转模块包括第一齿轮、第二齿轮和第二驱动单元,第一齿轮与推杆相连接,第二齿轮与第一齿轮相啮合,第二驱动单元与第二齿轮相连接,通过第二驱动单元带动第二齿轮旋转,由此带动夹持模块及基板旋转。本发明可以避免基板污染,且各结构的设置非常紧凑,可以在不
薄膜沉积方法以及薄膜沉积装置.pdf
本申请涉及一种薄膜沉积方法以及薄膜沉积装置。薄膜沉积方法包括:将基片放入炉管内,炉管包括用于放置基片的第一区段,第一区段具有反应气体的进气口;在第一预设时间内,将对第一区段进行加热的第一加热模块从第一初始温度加热至第一预设温度,第一加热模块包围第一区段;在第二预设时间内,保持第一加热模块持续处于第一预设温度;在第三预设时间内,将反应气体由进气口通入炉管内,且将第一加热模块由第一预设温度升温至第二预设温度,以于放置于第一区段的基片表面形成目标薄膜。本申请可以通过升温过程中的基片边缘与中央的升温速率差异,平衡
半导体薄膜的沉积设备和沉积方法.pdf
本发明是关于一种半导体薄膜的沉积设备和沉积方法,包括腔体和盖板,加热盘,加热盘通过支撑杆支撑,还包括:晶圆升降机构设置于腔体内;水平调节机构设置于腔体外;晶圆升降机构包括:同心定位盘设置于腔体内,位于加热盘的下方;同心调整手,通过板簧设置于同心定位盘的边缘上,与同心定位盘活动连接,同心调整手包括平行设置的第一横板第二横板和竖板;顶针支板,设置于加热盘和第二横板之间,均匀设有多个顶针;蓝宝石玻璃,设置于顶针支板的下方;动力单元,通过支杆与顶针支板连接,支杆贯穿腔体。保证晶圆与加热盘和喷淋板的同心设置,以及三
硅片载台、沉积方法、及薄膜沉积设备.pdf
本申请提供了一种硅片载台、沉积方法、及薄膜沉积设备。所述硅片载台包括:载台,所述载台上表面具有盲孔;高度能够调整的支撑柱,所述支撑柱嵌入所述载台的盲孔,用于支撑置于所述载台上表面的硅片;所述支撑柱与所述盲孔内壁的间隙大小被配置为随环境温度变化而变化,以适应载台由于温度变化而产生的形变。通过在载台上设置盲孔,将所述支撑柱嵌入所述载台的盲孔,防止了支撑柱的移动,进而防止了置于支撑柱上的硅片移动。将所述支撑柱设置为高度可调整的结构,解决了更换底座使得设备成本的增加和制程时间的延长的问题,一个硅片载台就能够适用于