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(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN115958524A(43)申请公布日2023.04.14(21)申请号202211200798.5(22)申请日2022.09.29(30)优先权数据10-2021-01346592021.10.12KR(71)申请人SKC索密思株式会社地址韩国京畿道(72)发明人徐章源郑恩先尹晟勋尹钟旭(74)专利代理机构成都超凡明远知识产权代理有限公司51258专利代理师赵瑞(51)Int.Cl.B24B37/22(2012.01)B24B37/24(2012.01)B24B37/26(2012.01)权利要求书2页说明书33页附图2页(54)发明名称抛光垫及半导体器件的制造方法(57)摘要本发明涉及一种抛光垫及半导体器件的制造方法。所述抛光垫,通过在厚度方向上细分的结构设计,能够提供符合针对各种抛光对象的各种抛光目的的物性,并且在使用后的废弃方面,不同于现有的抛光垫,在至少一部分结构应用可再生材料或可回收材料,从而能够确保环保。具体而言,所述抛光垫,包括抛光层;所述抛光层包括:抛光可变层,具备抛光面,以及抛光不变层,设置在所述抛光可变层的所述抛光面的相反面侧;所述抛光不变层包括含有第一氨基甲酸乙酯基预聚物的第一组合物的固化物,所述第一氨基甲酸乙酯基预聚物可以为第一醇成分和第一异氰酸酯成分的反应产物,所述第一醇成分包含羟基值为200mgKOH/g至900mgKOH/g的第一多元醇。CN115958524ACN115958524A权利要求书1/2页1.一种抛光垫,其中,包括抛光层;所述抛光层包括:抛光可变层,具备抛光面,以及抛光不变层,设置在所述抛光可变层的所述抛光面的相反面侧;所述抛光不变层包括含有第一氨基甲酸乙酯基预聚物的第一组合物的固化物,所述第一氨基甲酸乙酯基预聚物为第一醇成分和第一异氰酸酯成分的反应产物,所述第一醇成分包含羟基值为200mgKOH/g至900mgKOH/g的第一多元醇。2.根据权利要求1所述的抛光垫,其中,所述抛光可变层和所述抛光不变层的界面为可分离界面。3.根据权利要求1所述的抛光垫,其中,所述抛光可变层和所述抛光不变层分别包括至少一个层。4.根据权利要求1所述的抛光垫,其中,所述第一组合物中异氰酸酯基含量为8重量%至20重量%。5.根据权利要求1所述的抛光垫,其中,所述第一组合物还包含第一固化剂,所述第一固化剂包含含有选自由氨基、羟基以及它们的组合组成的组中的一种反应基团的化合物。6.根据权利要求5所述的抛光垫,其中,所述第一固化剂包含含有羟基作为所述反应基团的化合物,含有所述羟基的化合物的羟基值为大于600mgKOH/g且900mgKOH/g以下。7.根据权利要求1所述的抛光垫,其中,所述抛光可变层包括含有第二氨基甲酸乙酯基预聚物的第二组合物的固化物,所述第二氨基甲酸乙酯基预聚物为第二醇成分和第二异氰酸酯成分的反应产物,所述第二醇成分包含羟基值为50mgKOH/g以上且小于200mgKOH/g的第二多元醇。8.根据权利要求7所述的抛光垫,其中,所述第二组合物还包含第二固化剂,所述第二固化剂包含含有选自由氨基、羟基以及它们的组合组成的组中的一种反应基团的化合物。9.根据权利要求8所述的抛光垫,其中,所述第二固化剂包含含有氨基作为所述反应基团的化合物,所述第二组合物中的异氰酸酯基与所述第二固化剂中的氨基的摩尔比为1:0.80至1:1.20。10.根据权利要求7所述的抛光垫,其中,所述第二组合物中异氰酸酯基的含量为5重量%至11重量%。11.一种半导体器件的制造方法,其中,包括如下步骤:在平板上提供抛光垫,所述抛光垫包括具有抛光面的抛光层,以及将抛光对象的被抛光面设置成与所述抛光面接触,然后在加压条件下,在使所述抛光垫和所述抛光对象彼此相对旋转的同时抛光所述抛光对象;2CN115958524A权利要求书2/2页所述抛光层包括:抛光可变层,包括所述抛光面,以及抛光不变层,设置在所述抛光可变层的所述抛光面的相反面侧;所述抛光不变层包括含有第一氨基甲酸乙酯基预聚物的第一组合物的固化物,所述第一氨基甲酸乙酯基预聚物为第一醇成分和第一异氰酸酯成分的反应产物,所述第一醇成分包含羟基值为200mgKOH/g至900mgKOH/g的第一多元醇。12.根据权利要求11所述的半导体器件的制造方法,其中,所述抛光对象的被抛光面加压到所述抛光层的抛光面的荷重为0.01psi至20psi。3CN115958524A说明书1/33页抛光垫及半导体器件的制造方法技术领域[0001]本发明涉及一种抛光工艺用垫和将这种垫应用于半导体器件的制造方法的技术。背景技术[0002]化学机械平坦化(ChemicalMechanicalPlanarization,CMP)或者化学机械抛光(Che