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(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN115958525A(43)申请公布日2023.04.14(21)申请号202211222303.9B24B37/10(2012.01)(22)申请日2022.10.08B24B37/34(2012.01)(30)优先权数据10-2021-01347922021.10.12KR10-2021-01347462021.10.12KR(71)申请人SKC索密思株式会社地址韩国京畿道(72)发明人徐章源尹晟勋郑恩先安宰仁(74)专利代理机构成都超凡明远知识产权代理有限公司51258专利代理师宋东颖(51)Int.Cl.B24B37/22(2012.01)B24B37/24(2012.01)B24B37/26(2012.01)权利要求书2页说明书43页附图3页(54)发明名称抛光垫及使用其的半导体器件的制备方法(57)摘要本发明提供一种抛光垫,通过厚度方向的细分结构特性设计,可以向各种抛光对象提供适合各种抛光目的的物理特性,关于使用后的报废,与现有抛光垫不同,在至少一部分结构应用再生或可回收的材料,从而可以实现环保性。具体而言,所述抛光垫包括抛光层,所述抛光层包括:抛光可变层,其具有抛光面,以及抛光不变层,配置在所述抛光可变层的所述抛光面的背面,所述抛光不变层可包括组合物的固化物,所述组合物包含热固化性聚氨酯粒子和粘合剂。CN115958525ACN115958525A权利要求书1/2页1.一种抛光垫,其中,包括抛光层,所述抛光层包括:抛光可变层,其具有抛光面,以及抛光不变层,配置在所述抛光可变层的所述抛光面的背面,所述抛光可变层和所述抛光不变层的界面为可分离界面。2.根据权利要求1所述的抛光垫,其中,所述抛光可变层的肖氏D硬度与所述抛光不变层的肖氏D硬度的比率为0.50至1.50。3.根据权利要求1所述的抛光垫,其中,所述抛光可变层占所述抛光层总体积的30体积%至60体积%。4.根据权利要求1所述的抛光垫,其中,根据以下式1,所述抛光可变层的第一抛光可变性指数为0.1至11.0;式1在所述式1中,所述Ri是所述抛光可变层的寿命导入时间点的所述抛光面的表面粗糙度Ra,所述Rf是所述抛光可变层的寿命结束时间点的所述抛光面的表面粗糙度Ra,所述Ti是所述抛光可变层的寿命导入时间点的所述抛光垫的总厚度,所述Tf是所述抛光可变层的寿命结束时间点的所述抛光垫的总厚度。5.根据权利要求1所述的抛光垫,其中,所述抛光可变层在所述抛光面包括至少一个沟槽,其具有小于所述抛光可变层的总厚度或等于所述抛光可变层的总厚度的深度,根据以下式2,所述抛光可变层的第二抛光可变性指数为0.1至3.5;式2在所述式2中,所述Ri是所述抛光可变层的寿命导入时间点的所述抛光面的表面粗糙度Ra,所述Rf是所述抛光可变层的寿命结束时间点的所述抛光面的表面粗糙度Ra,所述Gi是所述抛光可变层的寿命导入时间点的所述沟槽的深度,所述Gf是所述抛光可变层的寿命结束时间点的所述沟槽的深度。6.根据权利要求1所述的抛光垫,其中,所述抛光可变层在所述抛光面包括至少一个沟槽,其具有小于所述抛光可变层的总厚度或等于所述抛光可变层的总厚度的深度,根据以下式3,所述沟槽的深度变化率(%)为20%至100%;式32CN115958525A权利要求书2/2页在所述式3中,所述Gi是所述抛光可变层的寿命导入时间点的所述沟槽深度,所述Gf是所述抛光可变层的寿命结束时间点的所述沟槽深度。7.根据权利要求1所述的抛光垫,其中,总层叠体的肖氏D硬度为45至70。8.根据权利要求1所述的抛光垫,其中,所述抛光可变层包括热固性树脂,所述抛光不变层包括热塑性树脂。9.根据权利要求1所述的抛光垫,其中,所述抛光不变层包含组合物的固化物,所述组合物包含热固化性聚氨酯粒子和粘合剂。10.一种半导体器件的制备方法,其中,包括:将包括抛光层的抛光垫提供到表面板的步骤,其中所述抛光层具有抛光面,以及将抛光对象的被抛光面配置成与所述抛光面接触后,在加压条件下使所述抛光垫和所述抛光对象彼此相对旋转,从而对所述抛光对象进行抛光的步骤;所述抛光层包括:抛光可变层,其包括所述抛光面,以及抛光不变层,配置在所述抛光可变层的所述抛光面的背面;所述抛光可变层和所述抛光不变层的界面为可分离界面。3CN115958525A说明书1/43页抛光垫及使用其的半导体器件的制备方法技术领域[0001]本发明涉及一种用于抛光工艺的垫,并且涉及一种将这种垫用于半导体器件的制备方法的技术。背景技术[0002]化学机械平坦化(ChemicalMechanicalPlanarization,CMP)或者化学机械抛光(ChemicalMechanicalPolishing,CMP)工艺可以用于各种技术领域