一种用于晶圆生产CVD氧化膜厚度的控制装置.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN109159014A(43)申请公布日2019.01.08(21)申请号201811166793.9(22)申请日2018.10.08(71)申请人江苏英锐半导体有限公司地址224000江苏省盐城市盐城经济技术开发区综合保税区纽约中路1号3号标准厂房(72)发明人王昌华(74)专利代理机构常州市权航专利代理有限公司32280代理人袁兴隆(51)Int.Cl.B24B29/02(2006.01)B24B41/06(2012.01)B24B47/22(2006.01)权利要求书2页说明书6页附图4页(54)发明名称一种用于晶圆生产CVD氧化膜厚度的控制装置(57)摘要本发明涉及附属装置的技术领域，特别是涉及一种用于晶圆生产CVD氧化膜厚度的控制装置，其可以降低加工之后的镀膜晶圆片氧化膜厚度距离要求值的偏差；并且可以增强加工之后的镀膜晶圆片的氧化膜的表面平整度；同时增强支座适配多种尺寸镀膜晶圆片的能力；包括操作台、支座、抛光轮、电机和镀膜晶圆片；还包括两组支撑架、两组升降杆、调控板、螺纹杆、上转动环、下转动环和调节旋钮，支座的顶端的左侧和右侧分别贯穿设置有两组伸缩孔；还包括带动板和滑动块，带动板的内部设置有晃动腔；还包括左滑杆、右滑杆、左夹板、右夹板、两组下限位环、两组上限位环和同步齿轮，支座的顶部区域内部设置有工作腔。CN109159014ACN109159014A权利要求书1/2页1.一种用于晶圆生产CVD氧化膜厚度的控制装置，包括操作台（1）、支座（2）、抛光轮（3）、电机（4）和镀膜晶圆片（5），所述抛光轮（3）的固定端与电机（4）的输出端固定卡装；其特征在于，还包括两组支撑架（6）、两组升降杆（7）、调控板（8）、螺纹杆（9）、上转动环（10）、下转动环（11）和调节旋钮（12），所述两组支撑架（6）的底端分别与操作台（1）的顶端的左侧和右侧连接，所述两组支撑架（6）的顶端内侧分别与支座（2）的左端和右端的中部区域连接，所述支座（2）的顶端的左侧和右侧分别贯穿设置有两组伸缩孔，所述两组升降杆（7）的底端均自支座（2）的上侧分别穿过两组伸缩孔并且均伸出至支座（2）的下侧，所述两组升降杆（7）的底端分别与调控板（8）的顶端的左侧和右侧连接，所述调控板（8）的顶端中心区域贯穿设置有调节螺纹孔，所述螺纹杆（9）的底端自调控板（8）的上侧螺装穿过调节螺纹孔并且伸出至调控板（8）的下侧，所述上转动环（10）的顶端和下转动环（11）的底端分别与支座（2）的底端中心区域和操作台（1）顶端的中部区域连接，所述螺纹杆（9）的顶端和底端分别与上转动环（10）和下转动环（11）转动连接，所述调节旋钮（12）与螺纹杆（9）的下部区域固定套装；还包括带动板（13）和滑动块（14），所述两组升降杆（7）的顶端分别与带动板（13）的底端的左侧和右侧连接，所述带动板（13）的内部设置有晃动腔，所述晃动腔的顶端和底端连通设置有上插入孔和下伸出孔，所述电机（4）的输出端自带动板（13）的上侧穿过上插入孔并且伸入至晃动腔内部，所述电机（4）的输出端继续自晃动腔内部穿过下伸出孔并且伸出至晃动腔外部，所述滑动块（14）的中部区域设置有轴承环，所述轴承环与电机（4）的输出端顶部区域转动套装，所述滑动块（14）与晃动腔滑动卡装；还包括左滑杆（15）、右滑杆（16）、左夹板（17）、右夹板（18）、两组下限位环（19）、两组上限位环（20）和同步齿轮（21），所述支座（2）的顶部区域内部设置有工作腔，所述工作腔的顶端左侧和右侧分别设置有左滑动口和右滑动口，所述左滑杆（15）的左侧顶端和右滑杆（16）的右侧顶端均自工作腔内分别穿过左滑动口和右滑动口并且均伸出至工作腔外侧，所述左滑杆（15）的左侧顶部区域右侧和右滑杆（16）的右侧顶部区域左侧分别与左夹板（17）的左端中部和右夹板（18）的右端中部连接，所述左夹板（17）的右端和右夹板（18）的左端分别与镀膜晶圆片（5）的圆周侧壁的左端和右端紧贴，所述两组下限位环（19）的底端分别与工作腔的底端的左侧和右侧连接，所述两组下限位环（19）分别与左滑杆（15）的下部区域的左侧和右侧滑动卡装，所述两组上限位环（20）的顶端分别与工作腔顶端中部区域的左侧和右侧连接，所述两组上限位环（20）分别与右滑杆（16）的底部区域左侧和右侧滑动卡装，所述左滑杆（15）的底部区域顶端右侧和右滑杆（16）的底部区域的底端左侧分别设置有左齿轮条和右齿轮条，所述同步齿轮（21）的中心区域转动设置有支持轴，所述支持轴的前端和后端分别与工作腔的前端的中部区域和后端的中部区域固定连接，所述同步齿轮（21）的顶端和底端分别与右齿轮条和左齿轮条咬合。2.如权利要求1所述的一种用于晶圆生产