真空镀膜装置.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN110158056A(43)申请公布日2019.08.23(21)申请号201910414855.1(22)申请日2019.05.17(71)申请人中国科学院宁波材料技术与工程研究所地址315201浙江省宁波市镇海区庄市大道519号(72)发明人陈仁德左潇汪爱英柯培玲张栋(74)专利代理机构杭州华进联浙知识产权代理有限公司33250代理人李丽华(51)Int.Cl.C23C16/455(2006.01)C23C16/513(2006.01)C23C16/458(2006.01)权利要求书1页说明书4页附图1页(54)发明名称真空镀膜装置(57)摘要本发明涉及一种真空镀膜装置，包括真空腔体，设于所述真空腔体内的线圈和支撑架，及连接于所述真空腔体的进气管；所述进气管能够往所述真空腔体导入反应气体；所述线圈连接高频电源，且所述线圈通电能够电离所述真空腔体内的反应气体，以产生等离子体；所述支撑架连接直流电源，其中所述支撑架用于支撑工件，且所述支撑架通电能够对置于所述支撑架上的工件施加负偏压，用于引导所述等离子体沉积在所述工件上。本发明能够对工件的内壁及外表面实现均匀的镀膜，且对应膜基结合力好，而且避免了因工件结构及尺寸的问题而引起的边缘效应和尖端效应；同时能够通过对直流电源及高频电源的调节，实现对工件镀膜的有效控制。CN110158056ACN110158056A权利要求书1/1页1.一种真空镀膜装置，用于对工件进行镀膜；其特征在于：包括真空腔体，设于所述真空腔体内的线圈和支撑架，及连接于所述真空腔体的进气管；所述进气管能够往所述真空腔体导入反应气体；所述线圈连接高频电源，且所述线圈通电能够电离所述真空腔体内的反应气体，以产生等离子体；所述支撑架连接直流电源，其中所述支撑架用于支撑工件，且所述支撑架通电能够对置于所述支撑架上的工件施加负偏压，用于引导所述等离子体沉积在所述工件上。2.根据权利要求1所述的真空镀膜装置，其特征在于：所述线圈设置为螺形金属管，其中所述螺形金属管管内导通有冷却水。3.根据权利要求2所述的真空镀膜装置，其特征在于：所述螺形金属管设置在所述工件的上方，并与所述工件相对设置，其中所述螺形金属管与所述工件之间的间距小于10cm。4.根据权利要求2所述的真空镀膜装置，其特征在于：所述螺形金属管部分伸入至所述工件内，并与所述工件的内壁间隙配合，其中所述工件的内壁与所述螺形金属管之间的间距小于10cm。5.根据权利要求2所述的真空镀膜装置，其特征在于：所述螺形金属管上设置有两根延伸管，两根所述延伸管相对于所述真空腔体部分向外伸出，用于与所述高频电源连接，其中所述高频电源的频率为10KHz-30MHz，功率为50W-600W。6.根据权利要求5所述的真空镀膜装置，其特征在于：两根所述延伸管相对于所述真空腔体绝缘设置。7.根据权利要求1所述的真空镀膜装置，其特征在于：所述支撑架上设置有支撑杆，所述支撑杆通过绝缘法兰固定在所述真空腔体上。8.根据权利要求7所述的真空镀膜装置，其特征在于：所述直流电源的负极与所述支撑杆连接，所述直流电源的正级接地。9.根据权利要求8所述的真空镀膜装置，其特征在于：所述直流电源的电压为100V-1000V。10.根据权利要求1所述的真空镀膜装置，其特征在于：所述真空腔体内导入所述反应气体后的气压为0.2Pa-6Pa,其中所述反应气体包括乙炔、甲烷或者氩气。2CN110158056A说明书1/4页真空镀膜装置技术领域[0001]本发明属于真空镀相关的技术领域，特别是涉及一种真空镀膜装置。背景技术[0002]真空镀是指在真空条件下，通过蒸发、溅射或离化等方式在产品表面沉积各种金属和非金属涂层的技术，其主要包括真空蒸镀、溅射镀、离子镀和等离子体增强化学气相沉积几种类型。[0003]目前,实际的工业应用中,存在大量的内凹异型工件及金属管状内表面需要镀膜,比如汽车发动机汽缸、轴承、轴套以及涡轮的内花键等。然而，常规的真空镀膜装置由于绕射性差，使得真空镀膜装置在对工件进行镀膜时，工件内凹面及内壁难以实现均匀涂覆，而且工件上所镀的膜对应的膜基结合力差，使得现有的真空镀膜装置满足不了对内凹异型工件及金属管状内表面的镀膜使用需求。发明内容[0004]基于此，有必要针对现有技术中存在的技术问题，提供一种真空镀膜装置,用于对管状工件，或者具有深孔结构的工件进行镀膜。[0005]具体地，一种真空镀膜装置，包括真空腔体，设于所述真空腔体内的线圈和支撑架，及连接于所述真空腔体的进气管；所述进气管能够往所述真空腔体导入反应气体；所述线圈连接高频电源，且所述线圈通电能够电离所述真空腔体内的反应气体，以产生等离子体；所述支撑架连接直流电源，其中所述支撑架用