一种镀钯键合铜丝及其制备工艺.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN115976598A(43)申请公布日2023.04.18(21)申请号202211573935.XC21D9/52(2006.01)(22)申请日2022.12.08C25D5/34(2006.01)C25D3/50(2006.01)(71)申请人广东佳博电子科技有限公司C25D5/10(2006.01)地址510530广东省广州市经济技术开发C25D5/48(2006.01)区东区骏业路132号B21C1/02(2006.01)(72)发明人周钢H01L23/49(2006.01)(74)专利代理机构广州专理知识产权代理事务所(普通合伙)44493专利代理师曲超(51)Int.Cl.C25D7/06(2006.01)C22C1/02(2006.01)C22C9/10(2006.01)C22F1/08(2006.01)C22F1/02(2006.01)权利要求书1页说明书6页附图1页(54)发明名称一种镀钯键合铜丝及其制备工艺(57)摘要本发明属于键合铜丝的技术领域，具体涉及一种镀钯键合铜丝及其制备工艺，采用铜、铂、钴、锆、镁、锶、稀土金属元素和硅混合，形成铜基键合丝材料，所采用的金属铂、钴和锆以及结合硅的作用有助于提高铜丝的内部晶粒分布结构，提高铜丝的抗拉力等力学性能、成球度以及抗氧化性能；所采用的镁、锶以及稀土金属元素有助于提高键合铜丝的键合性能，采用一次、二次的镀钯工艺，使得键合铜丝具有优良的拉伸性能、键合性能以及抗氧化性能。CN115976598ACN115976598A权利要求书1/1页1.一种镀钯键合铜丝的制备工艺，其特征在于，包括如下步骤：1）原材料预处理；2）键合铜丝的合成：将金属铜、铂、钴、锆、镁、锶、稀土金属元素和硅混合，进行真空熔炼和连铸得到键合铜丝；3）键合铜丝的表面活性处理：键合铜丝冷却至100~120℃之后，采用表面活性溶液进行气雾均匀喷涂处理，静置，之后烘干；4）一次镀钯处理：将经过表面活性处理的键合铜丝表面电镀钯层，采用碱性钯电镀液；5）粗拉丝和中拉丝：将镀钯的键合铜丝升温至500~600℃，进行粗拉丝，降温至400~500℃，进行中拉丝；6）二次镀钯处理：将经过粗拉丝和中拉丝处理的镀钯键合铜丝表面二次电镀钯层；所述电镀为采用含抗氧化剂的碱性钯电镀液；所述抗氧化剂包括吡咯‑2‑磺酸或者吡咯‑3‑磺酸；7）精拉丝；8）退火。2.根据权利要求1所述的镀钯键合铜丝的制备工艺，其特征在于，步骤2）所述真空熔炼‑3‑2时，真空度为10～10MPa，熔炼温度为1780~1810℃，熔炼时间为60~80分钟，所得到的键合铜丝的直径为0.08~0.1mm。3.根据权利要求1所述的镀钯键合铜丝的制备工艺，其特征在于，步骤2）所述稀土元素包括金属铈、钆和钇。4.根据权利要求1所述的镀钯键合铜丝的制备工艺，其特征在于，步骤3）所述表面活性溶液的组分包括硫酸、磷酸二氢钾和乙基丙二酸的混合物，混合体积比为（2~3）：（3~5）：（1~2）；所述硫酸的浓度为5~10mol/L；所述磷酸二氢钾的浓度为30~40mol/L；所述乙基丙二酸的浓度为20~30mol/L。5.根据权利要求1所述的镀钯键合铜丝的制备工艺，其特征在于，步骤4）和步骤6）所述2电镀的条件，电镀液pH为7~8，电镀的电流密度为2~5A/dm，电镀温度为60~70℃，电镀的速度为30~40m/s。6.根据权利要求1所述的镀钯键合铜丝的制备工艺，其特征在于，步骤4）所述键合铜丝经粗拉丝后的直径为0.06~0.08mm；所述键合铜丝经中拉丝后直径为0.04~0.06mm。7.根据权利要求1所述的镀钯键合铜丝的制备工艺，其特征在于，步骤6）所述键合铜丝经精拉丝后直径为0.01~0.03mm。8.根据权利要求1所述的镀钯键合铜丝的制备工艺，其特征在于，步骤7）所述退火采用氮气作为退火气氛，流速为5~8L/min，退火温度为400~600℃，退火速率为1~2m/s。9.一种权利要求1~8任一项所述制备工艺得到的镀钯键合铜丝，其特征在于，所述镀钯键合铜丝中，按质量分数计，金属铜≥99%、铂占0.04~0.06%、钴占0.05~0.08%、锆占0.03~0.05%、镁占0.05~0.07%、锶占0.03~0.05%、稀土金属元素占0.005~0.006%和硅占0.3~0.5%。2CN115976598A说明书1/6页一种镀钯键合铜丝及其制备工艺技术领域[0001]本发明属于键合铜丝的技术领域，具体涉及一种镀钯键合铜丝及其制备工艺。背景技术[0002]近几年，随着集成电路封装行业的快速发展，对键合丝材料的性能要求越来越高，一直以来，键合金线具有电导率大、耐腐蚀、韧性好等优点，在集成电路封装中，得到广泛应用，但