一种提高光电子芯片封装带宽的封装结构.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN116013908A(43)申请公布日2023.04.25(21)申请号202310114853.7(22)申请日2023.02.02(71)申请人中国电子科技集团公司第四十三研究所地址230088安徽省合肥市高新技术开发区合欢路19号(72)发明人姚宗影杨鹏毅乔鹏飞李韬倪涛芮金城刘金鹏(74)专利代理机构合肥天明专利事务所(普通合伙)34115专利代理师金凯(51)Int.Cl.H01L23/66(2006.01)H01L23/02(2006.01)H01L25/16(2023.01)权利要求书1页说明书3页附图4页(54)发明名称一种提高光电子芯片封装带宽的封装结构(57)摘要本发明公开了芯片封装领域的一种提高光电子芯片封装带宽的封装结构，包括射频连接器、管壳、宽带高频过渡转接板以及芯片电极焊盘，所述射频连接器固连在管壳上，射频连接器的射频引线通过焊接与宽带高频过渡转接板级联，所述宽带高频过渡转接板的射频输出端与芯片电极焊盘通过金丝键合互连。本发明能够降低芯片的传输损耗，提高光电子芯片封装带宽。CN116013908ACN116013908A权利要求书1/1页1.一种提高光电子芯片封装带宽的封装结构，其特征在于，包括射频连接器、管壳、宽带高频过渡转接板以及芯片电极焊盘，所述射频连接器固连在管壳上，射频连接器的射频引线通过焊接与宽带高频过渡转接板级联，所述宽带高频过渡转接板的射频输出端与芯片电极焊盘通过金丝键合互连。2.根据权利要求1所述的一种提高光电子芯片封装带宽的封装结构，其特征在于，所述管壳的侧壁上开设有空气腔。3.根据权利要求1所述的一种提高光电子芯片封装带宽的封装结构，其特征在于，所述宽带高频过渡转接板靠近射频连接器的端面与管壳之间的缝隙间距小于50um。4.根据权利要求1所述的一种提高光电子芯片封装带宽的封装结构，其特征在于，所述射频连接器底部与宽带高频过渡转接板的表面之间的缝隙间距小于0.1mm。5.根据权利要求1所述的一种提高光电子芯片封装带宽的封装结构，其特征在于，所述宽带高频过渡转接板采用共面波导的形式进行信号传输，且其表面微带线的两侧开设有若干伴地通孔。6.根据权利要求1所述的一种提高光电子芯片封装带宽的封装结构，其特征在于，所述过渡连接板与芯片电极焊盘之间连接的金丝拱高数值小于0.15mm，金丝键合点的间距小于0.2mm，键合金丝的长度小于0.3mm。2CN116013908A说明书1/3页一种提高光电子芯片封装带宽的封装结构技术领域[0001]本发明涉及芯片封装领域，具体是一种提高光电子芯片封装带宽的封装结构。背景技术[0002]在雷达、电子对抗和通信等领域中，电子系统朝着高频、宽频带方向发展，在射频传输链路过程中，总是会存在互连等信号不连续性，如接口互连、射频输入与基板之间的互连、光电子芯片之间以及宽带高频过渡转接板与芯片之间等的互连，对于不连续性的地方，对于较低的频段，传输线与芯片可通过金丝键合直接相连，但是在高频段下，不连续处带来影响不容小觑，插损和回波损耗增大，带宽性能恶化，如通过金丝互连的地方，金丝的电感效应剧烈增加，键合金丝的参数特性如数量、拱高、键合点间距、金丝长度等都会对微波传输特性产生严重的影响，尤其在毫米波，键合金丝的寄生电感效应尤为明显。[0003]传统思维是对信号不连续的每一段均进行50欧姆级联补偿，达到提高带宽的目的，但是但是将每一段级联一起后反射较大，传输损耗较大。发明内容[0004]本发明的目的在于提供一种提高光电子芯片封装带宽的封装结构，以解决上述背景技术中提出的问题。[0005]为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：[0006]一种提高光电子芯片封装带宽的封装结构，包括射频连接器、管壳、宽带高频过渡转接板以及芯片电极焊盘，所述射频连接器固连在管壳上，射频连接器的射频引线通过焊接与宽带高频过渡转接板级联，所述宽带高频过渡转接板的射频输出端与芯片电极焊盘通过金丝键合互连。[0007]在一个实施例中，所述管壳的侧壁上开设有空气腔。[0008]在一个实施例中，所述宽带高频过渡转接板靠近射频连接器的端面与管壳之间的缝隙间距小于50um。[0009]在一个实施例中，所述射频连接器底部与宽带高频过渡转接板的表面之间的缝隙间距小于0.1mm。[0010]在一个实施例中，所述宽带高频过渡转接板采用共面波导的形式进行信号传输，且其表面微带线的两侧开设有若干伴地通孔。[0011]在一个实施例中，所述过渡转接板与芯片电极焊盘之间连接的金丝拱高数值小于0.15mm，金丝键合点的间距小于0.2mm，键合金丝的长度小于0.3mm。[0012]有益效果：本发明通过在管壳的内部设置空气腔，以及利用宽带高频过渡转接板连接射频连接器与芯片