一种LED芯片转移方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN113764551A(43)申请公布日2021.12.07(21)申请号202111046421.4(22)申请日2021.09.07(71)申请人东莞市中麒光电技术有限公司地址523000广东省东莞市东城街道桑园工业路17号(72)发明人薛水源庄文荣孙明付小朝(74)专利代理机构广州三环专利商标代理有限公司44202代理人张艳美赵月芬(51)Int.Cl.H01L33/00(2010.01)权利要求书1页说明书4页附图3页(54)发明名称一种LED芯片转移方法(57)摘要本发明公开一种LED芯片转移方法，包括步骤：S1，提供一面制备有LED芯片的生长衬底、目标基板及激光扩散结构；S2，将激光扩散结构置于生长衬底背离LED芯片的一侧，将目标基板朝向LED芯片放置；S3，自激光扩散结构背离生长衬底的一侧照射激光，借由激光将LED芯片从生长衬底上剥离，使LED芯片转移至目标基板。本发明在生长衬底背离LED芯片的一侧设置激光扩散结构，激光穿过激光扩散结构时，能量被激光扩散结构吸收、分散，使激光实际到达生长衬底与LED芯片的连接界面的能量更加均匀、分散，避免LED芯片受热不均匀，出现局部已经分离，但部分还连接，或者LED芯片局部过度受热，可以实现不损坏LED芯片的情况下，采用足够能量的激光将LED芯片与生长衬底充分剥离。CN113764551ACN113764551A权利要求书1/1页1.一种LED芯片转移方法，其特征在于，包括步骤：S1，提供一面制备有LED芯片的生长衬底、目标基板以及激光扩散结构，所述激光扩散结构用于将入射激光束扩散为能量分布均匀的光束；S2，将所述激光扩散结构置于所述生长衬底背离所述LED芯片的一侧，将所述目标基板朝向所述LED芯片放置；S3，自所述激光扩散结构背离所述生长衬底的一侧照射激光，借由激光将所述LED芯片从所述生长衬底上剥离，使所述LED芯片转移至所述目标基板。2.如权利要求1所述的LED芯片转移方法，其特征在于，所述激光扩散结构包括激光扩散膜和承载所述激光扩散膜的透明基板，所述激光扩散膜用于将入射激光束扩散为能量分布均匀的光束。3.如权利要求2所述的LED芯片转移方法，其特征在于，在步骤S2中，“将所述激光扩散结构置于所述生长衬底背离所述LED芯片的一侧”为，将所述激光扩散膜与所述生长衬底背离所述LED芯片的一侧相贴。4.如权利要求1所述的LED芯片转移方法，其特征在于，在步骤S3中，使激光的焦点位于所述生长衬底与所述LED芯片的连接界面。5.如权利要求1所述的LED芯片转移方法，其特征在于，在步骤S3中，使激光的焦点位于所述生长衬底与所述LED芯片的连接界面靠近所述生长衬底的一侧。6.如权利要求1至5任一项所述的LED芯片转移方法，其特征在于，在步骤S3中，“自所述激光扩散结构背离所述生长衬底的一侧照射激光”为：首先以第一强度的激光自所述激光扩散结构背离所述生长衬底的一侧照射，再以第二强度的激光自所述激光扩散结构背离所述生长衬底的一侧照射。7.如权利要求6所述的LED芯片转移方法，其特征在于，所述第一强度小于或等于所述第二强度。8.如权利要求6所述的LED芯片转移方法，其特征在于，在步骤S3中，“自所述激光扩散结构背离所述生长衬底的一侧照射激光”为：首先以所述第一强度的激光照射剥离所述LED芯片与所述生长衬底的连接界面的边沿位置，再以所述第二强度的激光照射剥离所述LED芯片与所述生长衬底的连接界面的中间位置处。9.如权利要求1所述的LED芯片转移方法，其特征在于，所述目标基板为一侧表面设有粘胶层的转移载板，借由所述粘胶层粘住所述LED芯片。10.如权利要求9所述的LED芯片转移方法，其特征在于，在步骤S2中，“将所述目标基板朝向所述LED芯片放置”为，将所述目标基板置于所述LED芯片的一侧，并使所述粘胶层与所述LED芯片接触。2CN113764551A说明书1/4页一种LED芯片转移方法技术领域[0001]本发明涉及LED芯片转移技术领域，具体涉及一种LED芯片转移方法。背景技术[0002]Mini/MicroLED芯片在制作完成之后，会通过激光剥离技术(LLO)从生长衬底(如蓝宝石衬底)剥离，转移至目标基板，例如玻璃板、PCB板等。现有技术中，通过激光剥离技术(LLO)从生长衬底剥离LED芯片时，激光的能量集中在激光焦点处，若激光的能量过高，会损坏LED芯片，若激光的能量偏低，则LED芯片无法从生长衬底剥离，此时，会借助表面带有粘胶层的中间转移载板协同进行剥离，通过激光和中间转移载板的方式剥离的LED芯片与生长衬底接触的表面有残留，在剥离后，需要对LED芯片进行清洗，LED芯片转移工序复杂，耗费时间长。[0003]因此