镀膜设备及其镀膜方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN113774363A(43)申请公布日2021.12.10(21)申请号202010517199.0(22)申请日2020.06.09(71)申请人江苏菲沃泰纳米科技股份有限公司地址214000江苏省无锡市惠山经济开发区玉祁配套区东环路182号(72)发明人宗坚(74)专利代理机构北京集佳知识产权代理有限公司11227代理人骆苏华(51)Int.Cl.C23C16/513(2006.01)C23C16/455(2006.01)C23C16/458(2006.01)权利要求书2页说明书22页附图14页(54)发明名称镀膜设备及其镀膜方法(57)摘要镀膜设备及镀膜方法，所述镀膜装置，用于涂覆一基材，包括：一腔室体，具有一反应腔；一支撑架，其具有一支撑区，以供支撑所述基材于所述腔室体的所述反应腔；一单体释放源，具有一释放进口，以供引入一膜层形成材料进入所述腔室体的所述反应腔；以及一等离子激发源，其被放置于所述腔室体的所述反应腔，以供激发所述膜层形成材料，其中所述支撑架可移动地设置在所述反应腔中，并且该基材随着所述支撑架一起移动以形成该基材的一移动路径，其中在至少一部分所述移动路径期间，该基材位于所述单体释放源与所述等离子激发源之间，使得所述膜层被均匀地形成于所述基材的表面，且沉积速度加快。CN113774363ACN113774363A权利要求书1/2页1.一镀膜装置，用于在一基材表面形成膜层，包括：一腔室体，其具有一反应腔；一支撑架，其具有一支撑区，以供支撑所述基材于所述腔室体的所述反应腔；一单体释放源，其具有一释放进口，以供引入一膜层形成材料进入所述腔室体的所述反应腔；以及一等离子激发源，其被置于所述腔室体的所述反应腔，以供激发所述膜层形成材料，其中所述支撑架可移动地设置在所述反应腔中，并且该基材随着所述支撑架一起移动以形成该基材的一移动路径，其中在至少一部分所述移动路径期间，该基材位于所述单体释放源与所述等离子激发源之间。2.根据权利要求1所述的镀膜装置，其中该基材的移动路径划分为第一部分和第二部分，在第一部分中所述单体释放源和所述等离子激发源分别位于该基材的两侧，在第二部分中所述单体释放源和该基材分别地位于所述等离子激发源的两侧。3.根据权利要求1所述的镀膜装置，其中该基材的移动路径划分为第一部分和第二部分，在第一部分中所述单体释放源和所述等离子激发源分别位于该基材的两侧，在第二部分中所述等离子激发源和该基材分别地位于所述单体释放源的两侧。4.根据权利要求2所述的镀膜装置，其中所述移动路径的第一部分大于第二部分。5.根据权利要求3所述的镀膜装置，其中所述移动路径的第一部分大于第二部分。6.根据权利要求1所述的镀膜装置，其中所述支撑架可移动地被安装于所述腔室体。7.根据权利要求6所述的镀膜装置，其中所述支撑架的移动被选自以下组合中的一种或多种：线性运动，曲线运动，滑动运动和旋转运动。8.根据权利要求1所述的镀膜装置，其中所述等离子激发源被安装于所述腔室体并与所述单体释放源相间隔。9.根据权利要求1所述的镀膜装置，其中所述腔室体具有一侧壁，其中所述单体释放源和所述等离子激发源被置于所述腔室体的所述反应腔的邻近所述腔室体的所述侧壁并相间隔。10.根据权利要求1所述的镀膜装置，其中所述腔室体具有两面相邻的侧壁，其中所述单体释放源和所述等离子激发源被分别置于所述腔室体的所述反应腔的邻近所述腔室体的两侧壁。11.根据权利要求1至10中任一所述的镀膜装置，其中所述等离子激发源的放电方式选自以下组合中的一种或多种：直流放电，交流放电，音频放电，射频放电，微波放电，中频放电，潘宁放电，火花放电和脉冲放电。12.根据权利要求1至10中任一所述的镀膜装置，其中所述等离子激发源包括一电极装置，以供施加电力于所述膜层形成材料，其中所述电极装置包括一对用于实施射频放电的电极。13.根据权利要求1至10中任一所述的镀膜装置，其中所述等离子激发源包括一电极装置，以供施加电力于所述膜层形成材料，其中所述电极装置包括于所述反应腔中延伸的一平面电极。14.根据权利要求1至10中任一所述的镀膜装置，其中所述腔室体的所述反应腔的横截面选自以下组合中的一种：圆形，椭圆形，多边形形状。2CN113774363A权利要求书2/2页15.一镀膜方法，用于在一基材表面形成膜层，包括步骤：(I)移动该基材在一腔室体的一反应腔，从而限定该基材的移动路径，其中在至少一部分移动路径期间，该基材位于一单体释放源与一等离子激发源之间的位置；以及(II)释放一膜层形成材料到所述腔室体的所述反应腔中，以供在所述等离子激发源的作用下，对该基材进行等离子体处理。16.根据权利要求15所述的镀膜方法，其中该基材的移动路径