一种硅晶圆的加工方法、控制装置及外延反应设备.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN109686684A(43)申请公布日2019.04.26(21)申请号201811612257.7(22)申请日2018.12.27(71)申请人西安奕斯伟硅片技术有限公司地址710065陕西省西安市高新区锦业路1号都市之门A座1323室(72)发明人王力金柱炫(74)专利代理机构北京银龙知识产权代理有限公司11243代理人许静刘伟(51)Int.Cl.H01L21/67(2006.01)H01L21/687(2006.01)权利要求书2页说明书6页附图6页(54)发明名称一种硅晶圆的加工方法、控制装置及外延反应设备(57)摘要本发明实施例提供一种硅晶圆的加工方法、控制装置及外延反应设备，该方法包括：在硅晶圆完成外延沉积后，调整硅晶圆上的印记与支撑杆的相对位置，印记为装载硅晶圆时支撑杆与硅晶圆接触形成的；通过支撑杆将硅晶圆从基座中抬升至指定位置。本发明实施例中，在硅晶圆完成外延沉积后，先调整硅晶圆上的印记与支撑杆的相对位置，然后控制支撑杆将硅晶圆从基座中抬升至指定位置，使支撑杆在装载硅晶圆与卸载硅晶圆时与硅晶圆接触的位置尽量一致，从而减少硅晶圆背面印记的面积，提高硅晶圆的质量。CN109686684ACN109686684A权利要求书1/2页1.一种硅晶圆的加工方法，其特征在于，所述方法包括：在硅晶圆完成外延沉积后，调整所述硅晶圆上的印记与支撑杆的相对位置，所述印记为装载所述硅晶圆时所述支撑杆与所述硅晶圆接触形成的；通过支撑杆将所述硅晶圆从基座中抬升至指定位置。2.根据权利要求1所述的加工方法，其特征在于，所述调整所述硅晶圆上的印记与支撑杆的相对位置，包括：获取所述硅晶圆上的印记的第一位置和当前所述支撑杆的第二位置；根据所述第一位置和所述第二位置，调整所述硅晶圆上的印记与支撑杆的相对位置。3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述根据所述第一位置和所述第二位置，调整所述硅晶圆上的印记与支撑杆的相对位置，包括：确定所述第一位置和所述第二位置之间的间距；根据所述间距，调整所述硅晶圆上的印记与支撑杆的相对位置。4.根据权利要求1所述的加工方法，其特征在于，所述调整所述硅晶圆上的印记与支撑杆的相对位置，包括：控制所述基座沿第一方向转动；其中，所述第一方向与第二方向相反，所述第二方向为所述硅晶圆进行外延沉积时所述基座的转动方向。5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述控制所述基座沿第一方向转动，包括：控制所述基座按照预设转速沿所述第一方向转动。6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，在所述通过支撑杆将所述硅晶圆从基座中抬升至指定位置之前，所述方法还包括：获取所述基座沿所述第一方向转动的持续时间；判断所述持续时间是否大于或等于预设时间；当所述持续时间大于或等于所述预设时间时，控制所述基座停止转动，然后执行获取所述基座沿所述第一方向转动的持续时间的步骤；当所述持续时间小于所述预设时间时，重新执行所述判断所述基座沿所述第一方向转动的持续时间是否大于等于预设时间的步骤。7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述预设转速为27～29转/分；所述预设时间为3.5～4.5秒。8.一种控制装置，其特征在于，包括：调整模块，用于在硅晶圆完成外延沉积后，调整所述硅晶圆上的印记与支撑杆的相对位置，所述印记为装载所述硅晶圆时所述支撑杆与所述硅晶圆接触形成的；第一控制模块，用于通过支撑杆将所述硅晶圆从基座中抬升至指定位置。9.根据权利要求8所述的控制装置，其特征在于，所述调整模块，包括：获取单元，用于获取所述硅晶圆上的印记的第一位置和当前所述支撑杆的第二位置；调整单元，用于根据所述第一位置和所述第二位置，调整所述硅晶圆上的印记与支撑杆的相对位置。10.根据权利要求9所述的控制装置，其特征在于，所述调整单元，包括：2CN109686684A权利要求书2/2页确定子单元，用于确定所述第一位置和所述第二位置之间的间距；调整子单元，用于根据所述间距，调整所述硅晶圆上的印记与支撑杆的相对位置。11.根据权利要求8所述的控制装置，其特征在于，所述调整模块，包括：控制单元，用于控制所述基座沿第一方向转动；其中，所述第一方向与第二方向相反，所述第二方向为所述硅晶圆进行外延沉积时所述基座的转动方向。12.根据权利要求11所述的控制装置，其特征在于，所述控制单元，还用于控制所述基座按照预设转速沿所述第一方向转动。13.根据权利要求12所述的控制装置，其特征在于，所述控制装置还包括：获取模块，用于获取所述基座沿所述第一方向转动的持续时间；判断模块，用于判断所述持续时间是否大于或等于预设时间；第二控制模块，用于当所述持续时间大于等于所述预设时间时，控制所述基座停止转动，并指示所述第一控制模块