一种用于半导体级硅单晶炉的石墨坩埚座.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN111996587A(43)申请公布日2020.11.27(21)申请号202010669548.0(22)申请日2020.07.13(71)申请人大同新成新材料股份有限公司地址037002山西省大同市新荣区花园屯村(72)发明人陈永贵张培林武建军柴利春张作文王志辉(74)专利代理机构太原荣信德知识产权代理事务所(特殊普通合伙)14119代理人杨凯连慧敏(51)Int.Cl.C30B15/10(2006.01)C30B29/06(2006.01)权利要求书1页说明书3页附图3页(54)发明名称一种用于半导体级硅单晶炉的石墨坩埚座(57)摘要本发明公开了一种用于半导体级硅单晶炉的石墨坩埚座，包括支撑板A，所述支撑板A顶部两侧对称设置有仓体，所述仓体内底部设置有弹簧A，所述弹簧A的顶部设置有支撑杆A，所述支撑杆A的顶部设置有支撑板B，两组所述支撑板B相互靠近的一侧设置有支撑杆B，所述支撑杆B外侧的两侧对称设置有弹簧B，所述支撑板B外侧的中间位置处对称设置有滑块，所述支撑板B的顶部设置有支撑板C；本发明装置通过给装置适配一个底座，在底座上设置多个固定销，在装置的底座设置多个固定孔，固定销与固定孔相互适配，将装置的固定孔与底座的固定销相互重合，做到固定作用，安装时就不需要大量的人员来进行安装，省时省力。CN111996587ACN111996587A权利要求书1/1页1.一种用于半导体级硅单晶炉的石墨坩埚座，包括支撑板A（1），其特征在于：所述支撑板A（1）顶部两侧对称设置有仓体（3），所述仓体（3）内底部设置有弹簧A（2），所述弹簧A（2）的顶部设置有支撑杆A（4），所述支撑杆A（4）的顶部设置有支撑板B（5），两组所述支撑板B（5）相互靠近的一侧设置有支撑杆B（11），所述支撑杆B（11）外侧的两侧对称设置有弹簧B（12），所述支撑板B（5）外侧的中间位置处对称设置有滑块（13），所述支撑板B（5）的顶部设置有支撑板C（6），所述支撑板C（6）的顶部设置有底座（7），所述底座（7）内底部的设置有多组固定销（10），所述底座（7）内部的底部设置有多组坩埚座（8），所述坩埚座（8）底部的中间位置处设置有固定孔（9），所述支撑板A（1）顶部中间位置处对称设置有支撑柱（15），所述支撑柱（15）的顶部设置有齿轮（14），所述坩埚座（8）一端的顶部设置有紧固圈（16）。2.根据权利要求1所述的一种用于半导体级硅单晶炉的石墨坩埚座，其特征在于：所述固定孔（9）与固定销（10）相互卡合。3.根据权利要求1所述的一种用于半导体级硅单晶炉的石墨坩埚座，其特征在于：所述滑块（13）的底部设置有齿条，且齿轮与齿轮（14）相互啮合。4.根据权利要求1所述的一种用于半导体级硅单晶炉的石墨坩埚座，其特征在于：所述紧固圈（16）一端的一侧设置有卡勾（18），所述紧固圈（16）的另一端设置有卡扣（17），且卡勾（18）与卡扣（17）相互适配。5.根据权利要求4所述的一种用于半导体级硅单晶炉的石墨坩埚座，其特征在于：所述卡扣（17）的手持处设置有防滑纹。6.根据权利要求1所述的一种用于半导体级硅单晶炉的石墨坩埚座，其特征在于：所述支撑杆A（4）的底部设置有限位板。2CN111996587A说明书1/3页一种用于半导体级硅单晶炉的石墨坩埚座技术领域[0001]本发明涉及硅单晶炉技术领域，具体为一种用于半导体级硅单晶炉的石墨坩埚座。背景技术[0002]半导体级硅单晶炉是单晶硅产业链中重要的晶体生长设备，目前，世界上用于硅单晶体生长的主流方法主要有两种：一种是区熔法，另一种是直拉法，其中直拉法具有生长单晶质量大、直径大、成本低廉、生产效率高等优点，一直是半导体硅衬底制备的主要手段，直拉法要求坩埚同时具备旋转与升降功能，同时由于坩埚处于热场中心，受高温辐射易变形，因此承载坩埚的石墨坩埚座的稳定性、可靠性及耐热性极为重要，受热后应力集中，材料力学强度较低，经常出现受热变形及开裂的现象，故障率极高，严重影响设备的稳定性与生产效率，如何提高石墨坩埚座的稳定性、可靠性及耐热性已经成为本领域密切关注的课题；现有装置具有以下几点不足之处：1.现有的装置大多数都是瓣式的，瓣式的在安装的过程中，非常的不方便，需要多个人员一起安装才能完成，消耗大量的人力；2.再将装置暗转在这个完成后，装置得不到固定作用，很容易倒下来，因此在安装时会有阻碍；3.在装置内注入原料时，装置没有一个缓冲的效果，这样会破坏装置，减少装置使用的寿命。发明内容[0003]本发明的目的在于提供一种用于半导体级硅单晶炉的石墨坩埚座，以解决上述背景技术中提出1.现有的装置大多数都是瓣式的，瓣式的在安装的过程中，非常的不方便，需要多个人员一起安装才能