一种氮化镓HEMT器件的制造加工设备及制造方法.pdf
黛娥****ak
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一种氮化镓HEMT器件的制造加工设备及制造方法.pdf
本发明涉及半导体加工的技术领域,特别涉及一种氮化镓HEMT器件的制造加工设备及制造方法,其使用了一种氮化镓HEMT器件的制造加工设备,包括安装底板、支撑杆、安装轴、封边装置和驱动装置,所述的安装底板下端面靠近四个拐角处固定有多个支撑杆,安装底板上通过轴承转动安装有多个横向布置的安装轴,安装轴的上端连接有封边装置,其中一个安装轴的下侧连接有驱动装置。相比于现有技术,本发明设计了一种可通过调节以适应不同尺寸外延片的封边装置,提升了该制造加工设备的整体利用率和加工效率,并防止了外延片在进行旋转涂胶时光刻胶容易从
一种共栅共源型多通道氮化镓HEMT器件及制造方法.pdf
本发明涉及一种共栅共源型多通道氮化镓HEMT器件结构和制造方法,其中结构包括衬底基板,位于衬底基板一侧的缓冲层,位于所述缓冲层远离所述衬底基板一侧的第一异质结结构及第二异质结结构,所述第一异质结结构包括至少一个AlGaN/GaN异质结,所述第二异质结结构包括多个沿第一方向叠加的AlGaN/GaN异质结,第一电极与所述第一异质结结构一端连接,金属连接部与第一异质结结构另一端连接且与第二异质结结构的一端连接;第二电极与所述第二异质结结构的另一端连接,栅电极位于所述第一异质结结构远离所述衬底基板的一侧。
镓的制造方法、钠的制造方法、氮化镓的制造方法.pdf
本发明涉及镓的制造方法、钠的制造方法、氮化镓的制造方法。本发明提供一种能循环再利用Na和Ga的、使用Na助熔剂法的氮化镓的制造方法。从在使用Na助熔剂法来育成GaN结晶结束后残留的Na‑Ga合金中分离并回收Ga。在容器中放入Na‑Ga合金和HTf
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本发明揭示了一种Ⅲ族氮化物增强型HEMT器件及其制造方法,所述制造方法包括:提供衬底;在衬底上外延生长沟道层;在沟道层上外延生长绝缘介质层;在绝缘介质层上的栅极区域中形成栅极;刻蚀栅极区域以外的绝缘介质层;基于选择区域生长工艺在绝缘介质层以外的沟道层上外延生长势垒层;刻蚀Ⅲ族氮化物异质结,形成源极区域和漏极区域;在源极区域和漏极区域中分别形成源极和漏极。本发明基于选择区域生长工艺优先在沟道层形成绝缘介质层和栅极,而后在绝缘介质层以外区域的沟道层生长势垒层,从而一次性形成断开的二维电子气通道;本发明无需传统
氮化镓系半导体的制造方法、III族氮化物半导体器件及其制造方法.pdf
提供一种能够通过较短时间的热处理使p型掺杂物活性化的、氮化镓系半导体的制造方法、III族氮化物半导体器件的制造方法以及III族氮化物半导体器件。在大气压下进行的热处理(例如大气压的氮气气氛中的热处理)中,如符号“空白三角形”所示,短时间内p型GaN层的比电阻为2.5Ω·cm左右,长时间(30分钟)内p型GaN层的比电阻为2.0Ω·cm左右。但是,长时间(30分钟)的热处理无法提供所需的接触电阻。相反,可提供所需的接触电阻的短时间的热处理在p型GaN层上无法实现所需的比电阻。即,在可实现上述接触电阻的热处理