一种共栅共源型多通道氮化镓HEMT器件及制造方法.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN115763557A(43)申请公布日2023.03.07(21)申请号202211415212.7(22)申请日2022.11.11(71)申请人天狼芯半导体（成都）有限公司地址610000四川省成都市高新区吉泰五路88号3栋42楼1号(72)发明人王威黄汇钦(74)专利代理机构深圳中创智财知识产权代理有限公司44553专利代理师李春林(51)Int.Cl.H01L29/778(2006.01)H01L21/335(2006.01)H01L29/207(2006.01)权利要求书2页说明书6页附图4页(54)发明名称一种共栅共源型多通道氮化镓HEMT器件及制造方法(57)摘要本发明涉及一种共栅共源型多通道氮化镓HEMT器件结构和制造方法，其中结构包括衬底基板，位于衬底基板一侧的缓冲层，位于所述缓冲层远离所述衬底基板一侧的第一异质结结构及第二异质结结构，所述第一异质结结构包括至少一个AlGaN/GaN异质结，所述第二异质结结构包括多个沿第一方向叠加的AlGaN/GaN异质结，第一电极与所述第一异质结结构一端连接，金属连接部与第一异质结结构另一端连接且与第二异质结结构的一端连接；第二电极与所述第二异质结结构的另一端连接，栅电极位于所述第一异质结结构远离所述衬底基板的一侧。CN115763557ACN115763557A权利要求书1/2页1.一种共栅共源型多通道氮化镓HEMT器件，其特征在于，包括：衬底基板；位于衬底基板一侧的缓冲层；位于所述缓冲层远离所述衬底基板一侧的第一异质结结构及第二异质结结构，所述第一异质结结构包括至少一个AlGaN/GaN异质结，所述第二异质结结构包括多个沿第一方向叠加的AlGaN/GaN异质结，其中第一方向为垂直于所述衬底基板方向；第一电极，与所述第一异质结结构一端连接，金属连接部，所述金属连接部与所述第一异质结结构另一端连接，且与所述第二异质结结构的一端连接；第二电极，与所述第二异质结结构的另一端连接；栅电极，位于所述第一异质结结构远离所述衬底基板的一侧。2.如权利要求1所述的一种共栅共源型多通道氮化镓HEMT器件，其特征在于：所述栅电极与所述第一异质结结构之间设有第一P型掺杂GaN层。3.如权利要求2所述的一种共栅共源型多通道氮化镓HEMT器件，其特征在于：所述第二异质结结构远离所述衬底基板的一侧设有第二P型掺杂GaN层。4.如权利要求1所述的一种共栅共源型多通道氮化镓HEMT器件，其特征在于：所述第一异质结结构在所述衬底基板上的投影与所述第二异质结结构在所述衬底基板上的投影不交叠。5.如权利要求1所述的一种共栅共源型多通道氮化镓HEMT器件，其特征在于：所述第一异质结结构远离所述衬底基板的一侧还包括AlGaN掺杂层，所述AlGaN掺杂层在所述衬底基板上的投影与所述栅电极在所述衬底基板上的投影不交叠；所述AlGaN掺杂层远离所述衬底基板的一侧包括第三电极，所述第一电极与所述第三电极电连接。6.如权利要求5所述的一种共栅共源型多通道氮化镓HEMT器件，其特征在于：所述AlGaN掺杂层包括P型掺杂区和N型掺杂区；所述P型掺杂区与所述第三电极连接，所述N型掺杂区与所述金属连接部连接。7.一种电子设备，其特征在于，包括如权利要求1‑6中任一项所述的一种共栅共源型多通道氮化镓HEMT器件。8.一种共栅共源型多通道氮化镓HEMT器件的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：提供衬底基板；在所述衬底基板上生长GaN缓冲层，所述GaN缓冲层包括第一表面，所述第一表面为所述GaN缓冲层远离所述衬底基板的一侧表面；在所述第一表面上沿第一方向依次生长形成n层AlGaN/GaN异质结结构，其中第一方向为垂直于所述衬底基板方向；对所述n层AlGaN/GaN异质结结构进行选择性刻蚀，以形成第一异质结结构和第二异质结结构，其中，所述第一异质结结构包括至少一个AlGaN/GaN异质结，所述第二异质结结构包括n个沿第一方向叠加的AlGaN/GaN异质结；在AlGaN/GaN异质结结构远离所述衬底基板的一侧外延P型掺杂GaN层；对所述P型掺杂GaN层进行选择刻蚀以形成第一P型掺杂GaN层和第二P型掺杂GaN层，所2CN115763557A权利要求书2/2页述第一P型掺杂GaN层位于所述第一异质结结构远离所述衬底基板的一侧，所述第二P型掺杂GaN层位于所述第二异质结结构远离所述衬底基板的一侧；沉积第一电极、第二电极、金属连接部和栅电极，其中，所述第一电极与所述第一异质结结构一端连接，所述金属连接部与所述第一异质结结构另一端连接，且与所述第二异质结结构的一端连接，所述第二电极与所述第二异质结结构的另一端连接，所述栅电极位于所述第一P型掺杂GaN层远离所述衬底基板的一侧。9.如权利