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一种具有低介电常数的超支化聚酰亚胺薄膜制备方法.pdf
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本发明涉及一种具有低介电常数的超支化聚酰亚胺薄膜制备方法，以2,4,6-三氨基嘧啶(TAP)为支化中心，采用一步法合成了一系列具有超支化结构的低介电PI薄膜。超支化结构的引入，显著降低了PI薄膜的介电常数，同时较好的保持了PI固有的优势，赋予了薄膜良好的力学强度和热氧稳定性。超支化结构中包含大量分子链末端基，有效抑制了分子链的密实堆砌，从而使超支化PI薄膜具有优异的溶解特性，更易于被加工成复杂器件。与目前普遍使用的Kapton标准膜相比，在同等测试条件下本发明法制备的超支化PI薄膜的介电常数降低了20％～
2023-05-27
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本发明涉及一种低介电常数聚酰亚胺薄膜及制备方法,该聚酰亚胺薄膜的结构式:<base:Imagehe=@338@wi=@1000@file=@DDA0003415110680000011.JPG@imgContent=@drawing@imgFormat=@JPEG@orientation=@portrait@inline=@yes@/>其中,n是不为零的整数。制备方法:1)将二胺单体溶解于非质子极性溶剂中,并加入二酐单体,再加入纳米粒子均匀,涂覆于光滑的玻璃板基体;最后进行加热保温处理。优点是:该聚酰亚胺
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本发明涉及一种低介电常数聚酰亚胺薄膜及其制备方法。本发明的低介电常数聚酰亚胺薄膜，包括芳香二胺、非质子极性溶剂、芳香二酐、纳米二氧化硅空心球粉末、硅烷偶联剂、含氟聚合物粉末、催化剂、脱水剂；将所述的芳香二胺在氮气环境下溶解于非质子极性溶剂中；所述的纳米二氧化硅空心球粉末的制备方法：室温下在500mL单口圆底烧瓶内分别加入240mL浓度为5mol/L的盐酸溶液、20g1,3,5‑三甲苯和20gPluronicF127表面活性剂，搅拌10h后得到白色乳液，加入20g正硅酸四乙酯，继续搅拌10h，然后再加
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本发明公开了一种低介电常数聚酰亚胺薄膜及其制备方法。所述低介电常数聚酰亚胺薄膜的制备方法为：取一定量的三乙酰丙酮铝均匀分散于合成好的聚酰胺酸溶液中，所得复合树脂溶液铺膜进行热酰亚胺化制得低介电常数聚酰亚胺薄膜。与现有技术相比，本发明以三乙酰丙酮铝作为成孔剂，在聚酰亚胺热酰亚胺化过程中三乙酰丙酮铝即可升华挥发，使得聚酰亚胺基体中留下孔洞，成孔工艺简单易行，安全环保；所制得的低介电常数聚酰亚胺薄膜空气孔分布均匀，并具有较低的介电常数和良好的力学性能，在电子和微电子行业等领域具有较好的应用前景。
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