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(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN108794748A(43)申请公布日2018.11.13(21)申请号201810574248.7(22)申请日2018.06.06(71)申请人华南理工大学地址510640广东省广州市天河区五山路381号(72)发明人马文石邱国荣张志琳焦元启(74)专利代理机构广州粤高专利商标代理有限公司44102代理人何淑珍冯振宁(51)Int.Cl.C08G73/12(2006.01)C08J5/18(2006.01)C08L79/08(2006.01)权利要求书2页说明书5页附图4页(54)发明名称一种低介电常数的聚酰亚胺薄膜及其制备方法(57)摘要本发明公开了一种低介电常数的聚酰亚胺薄膜及其制备方法。该聚酰亚胺薄膜是由一种聚酰胺酸溶液经热处理得到的,其中聚酰胺酸溶液是由4,4'-二氨基二苯醚、另一种二胺单体、均苯四甲酸二酐和马来酸酐制备而成,另一种二胺单体为2,2’-双[4-(4-氨基苯氧基苯基)]丙烷、1,3’-双(4-氨基苯氧基)苯或1,4’-双(4-氨基苯氧基)苯。将上述聚酰胺酸溶液均匀涂覆在玻璃板上,然后放置于真空干燥箱中消除气泡并干燥,然后移入马弗炉中按设定的程序升温和保温,待冷却至室温,再放入水中超声剥离薄膜,然后将薄膜真空干燥,得到具有介电常数是2.19至2.50的聚酰亚胺薄膜。CN108794748ACN108794748A权利要求书1/2页1.一种低介电常数的聚酰亚胺薄膜,其特征在于,该聚酰亚胺薄膜由以下聚酰亚胺的重复结构单元构成:其中,m是不为零的整数。2.根据权利要求1所述的一种低介电常数的聚酰亚胺薄膜,其特征在于,所述m为500-1000。3.根据权利要求1所述的一种低介电常数的聚酰亚胺薄膜,其特征在于,所述R为以下结构中的一种或多种:4.根据权利要求1所述的一种低介电常数的聚酰亚胺薄膜,其特征在于,所述聚酰亚胺薄膜的介电常数为2.19至2.50。5.制备权利要求1-4任一项所述的一种低介电常数的聚酰亚胺薄膜的方法,其特征在于,包括以下步骤:(1)将聚酰胺酸溶液均匀涂覆在玻璃板上,然后放置于真空干燥箱中消除气泡并干燥;(2)将步骤(1)干燥后的玻璃板移入马弗炉中进行热处理:(3)待步骤(2)的玻璃板冷却至室温后,放入水中超声剥离薄膜,然后将薄膜真空干燥,得到聚酰亚胺薄膜。6.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,步骤(1)所述聚酰胺酸溶液的质量浓度为0.1-30%。7.根据权利要求4所述的制备方法,其特征在于,步骤(1)所述聚酰胺酸溶液包括以下重复结构单元:2CN108794748A权利要求书2/2页8.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,步骤(1)所述干燥的温度为40-80℃,时间为1-6小时。9.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,步骤(2)所述热处理是先在150-250℃保温1-2小时,然后再升温至300-350℃保温1-2小时。10.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,步骤(2)所述热处理过程中,控制升温的速度为1-5℃/分钟。3CN108794748A说明书1/5页一种低介电常数的聚酰亚胺薄膜及其制备方法技术领域[0001]本发明涉及有机高分子材料制备与改性技术领域,具体涉及一种低介电常数的聚酰亚胺薄膜及其制备方法。背景技术[0002]聚酰亚胺是一种主链含有酰亚胺结构的聚合物,包括直链型和环链型;其中环链型聚酰亚胺的机械性能和热性能突出,研究和使用的领域广泛。因为聚酰亚胺具有良好的介电性能、热性能和机械性能,所以其广泛应用于微电子制造领域,用途包括:多层布线的层间绝缘材料、芯片表面的钝化与封装材料和柔性印制电路板的基体材料。作为一种层间绝缘材料,聚酰亚胺除了具有良好的介电性能,还具有优异的热性能、机械性能、化学稳定性和耐候性。但是随着超大规模集成电路尺寸的逐渐缩小,集成电路单元间的相互影响,导致信号传输延迟时间的增加,直接影响集成电路的运算能力。通过降低层间绝缘材料的介电常数是降低信号传输延迟时间的其中一种有效方法,这要求具有聚酰亚胺具有更低的介电常数。[0003]1908年,M.TBogert和R.RRenshaw(JournaloftheAmericanChemicalSociety,1908,30(7),1135-1144)首先制备了芳香族聚酰亚胺。1960年,杜邦公司推出商品名为“Kapton”的聚酰亚胺薄膜,其介电常数为3.4,并且具有良好的机械性能和热性,时至今日,仍是重要的聚酰亚胺产品。作为一种层间绝缘材料,传统的聚酰亚胺薄膜的介电常数为3以上,不满足现在和将来微电子制造领域大规模集成电路生产的介电应用需求,因此需要发明一种介电常数接近2的聚酰亚胺;通过制成介孔材料、在分子结构上增加大