一种液晶高分子覆铜板及其制备方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN111393635A(43)申请公布日2020.07.10(21)申请号202010262047.0(22)申请日2020.04.07(71)申请人宁波长阳科技股份有限公司地址315031浙江省宁波市江北区慈城镇庆丰路999号(72)发明人金亚东杨承翰周玉波朱正平(51)Int.Cl.C08G69/44(2006.01)H05K1/03(2006.01)C09K19/38(2006.01)权利要求书2页说明书6页附图1页(54)发明名称一种液晶高分子覆铜板及其制备方法(57)摘要本发明公开了一种液晶高分子(LCP)覆铜板及其制备方法，首先引入芳族胺基重复单元增加分子链的取向度，可在分子链中产生部分交联或支化位点，从而降低介电常数和提升尺寸稳定性，而后胺基的引入增加了极性，可提升在极性溶剂中的溶解度，便于后续的涂覆，本发明也增加高温热处理工艺段，提升了LCP与覆铜板的粘结力，满足高频高速5G通信及FPC行业相关应用标准，本发明的低介电高尺寸稳定性的LCP覆铜板可以广泛应用在柔性打印电路板、集成电路、5G通信及高频高速微电子工业技术领域中。CN111393635ACN111393635A权利要求书1/2页1.一种液晶高分子(LCP)覆铜板，其特征在于：所述的覆铜板热膨胀系数(CTE)为25PPM/K及以下，介电常数(Dk)为3.2(1GHz)及以下，剥离强度为1.1N/mm及以上。2.根据权利要求1所述的覆铜板，其特征在于：所述的覆铜板可以为AB或者ABA结构。3.根据权利要求2所述的覆铜板，其特征在于：所述的其中A层为LCP涂布层，B层为铜箔。4.根据权利要求3所述的覆铜板，其特征在于：所述的涂布层厚度为10-50μm，铜箔厚度为10-100μm。5.根据权利要求2所述的覆铜板，其特征在于：所述的覆铜板为AB结构的厚度为20-150μm之间，所述的覆铜板为ABA结构的厚度为30-200μm之间。6.根据权利要求1所述的一种液晶高分子(LCP)覆铜板的制备方法，其特征在于：(1)LCP树脂颗粒的合成：按照比例将LCP的组成单体和乙酸酐以及催化剂按照乙酸酐与羟基或胺基的摩尔比范围为1.1～1.01、催化剂用量为聚合单体总质量的0.5‰比例投入到装有搅拌器、氮气入口和出口、冷凝器和油水分离器的反应釜中，在200-250℃反应约2h，后蒸出多余的醋酐和副产物醋酸，然后以1℃/min升温到350℃，继续反应2h，直至没有馏出物滴出，进行减压抽真空；接着用氮气解除真空，再在氮气压力辅助下，放出产物熔体到水里冷却，烘干后，粉碎成粒径为0.1-0.5mm；(2)LCP覆铜板的制备：将上述的LCP树脂颗粒溶解于极性溶剂中，固含量为20-35％，溶液涂布于铜箔基板上，通过烤箱将溶剂除去，烤箱温度为250-350℃，速度为3-5m/分钟，LCP涂布层厚度为10-50μm，铜箔厚度为10-100μm；(3)热处理：将上述覆铜板在氮气保护中，在200-250℃热处理4h，之后自然冷却，即得到最终的LCP覆铜板。7.根据权利要求6所述的液晶高分子(LCP)覆铜板的制备方法，其特征在于：所述的根据步骤1所述的液晶高分子(LCP)单体为包含14-30％芳族二羰基重复单元、40-72％芳族氧基羰基重复单元、6-22％芳族二氧基重复单元和3-8％芳族有机胺基重复单元，以上比例为摩尔比。8.根据权利要求7所述的液晶高分子(LCP)覆铜板的制备方法，其特征在于：所述的芳族二羰基重复单元为对苯二甲酸、间苯二甲酸、2,6-萘二甲酸、1,6-萘二甲酸、2,7-萘二甲酸、1,4-萘二甲酸的一种或几种复配。9.根据权利要求7所述的液晶高分子(LCP)覆铜板的制备方法，其特征在于：所述的芳族氧基羰基重复单元为4-羟基苯甲酸、3-羟基苯甲酸、2-羟基苯甲酸的一种或几种复配。10.根据权利要求7所述的液晶高分子(LCP)覆铜板的制备方法，其特征在于：所述的芳族二氧基重复单元为对苯二酚、间苯二酚、2,6-二羟基萘、4,4-二羟基联苯的一种或几种复配。11.根据权利要求7所述的液晶高分子(LCP)覆铜板的制备方法，其特征在于：所述的芳族有机胺基重复单元为对苯二胺、间苯二胺、联苯二胺的一种或几种复配。12.根据权利要求6所述的液晶高分子(LCP)覆铜板的制备方法，其特征在于：所述的催化剂为醋酸钠、醋酸镁、醋酸锌、醋酸亚锡、醋酸铅、三氧化锑、醋酸钾的一种或任意几种复配。13.根据权利要求6所述的液晶高分子(LCP)覆铜板的制备方法，其特征在于：所述的极2CN111393635A权利要求书2/2页性溶剂为N-甲基-2-吡咯烷酮(NMP)、N,N-二甲基乙酰胺(DMAC)、N,N-二甲基甲酰胺(DMF)、二甲基亚砜(D