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基于SiC衬底的准垂直GaN PIN与SBD集成式器件.pdf

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本发明公开了一种基于SiC衬底的准垂直GaNPIN与SBD集成式器件,主要解决现有技术分立式PIN二极管用于多级限幅电路时功率容量受限,响应速度慢,集成度低的缺点。本发明碳化硅衬底(1)的上方淀积n+层(2),n+层(2)的上方并列淀积n?层(31)、公共阴极(5)、n?层(32),n?层(31)的上方依次淀积p+层(4)、PIN结阳极(6),n?层(32)的上方淀积肖特基结阳极(7)。本发明将GaNPIN与SBD通过共阴极的方式集成在同一碳化硅衬底上,同时PIN管与SBD管均设置为准垂直结构。本发明器件耐压特性好,频率响应快,用于限幅电路时可显著提升功率容量,降低响应时间,可应用于大功率限幅电路中。