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本发明公开了一种基于ScAlMgO4衬底的GaN基HEMT器件外延结构,该GaN基HEMT器件外延结构包括依次层叠的ScAlMgO4衬底,i?AlxGa1?xN/i?GaN超晶格层,i?GaN层,i?AlN层,i?AlyGa1?yN层,以及GaN或p型GaN层。与现有技术相比,本发明可以有效降低GaN薄膜缺陷密度,得到大尺寸高质量GaNHEMT器件。