一种基于ScAlMgO4衬底的GaN基HEMT器件外延结构.pdf
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本发明公开了一种基于ScAlMgO<base:Sub>4</base:Sub>衬底的GaN基HEMT器件外延结构,该GaN基HEMT器件外延结构包括依次层叠的ScAlMgO<base:Sub>4</base:Sub>衬底,i?Al<base:Sub>x</base:Sub>Ga<base:Sub>1?x</base:Sub>N/i?GaN超晶格层,i?GaN层,i?AlN层,i?Al<base:Sub>y</base:Sub>Ga<base:Sub>1?y</base:Sub>N层,以及GaN或p型GaN
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