碳膜的成膜方法和成膜装置.pdf
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相关资料
碳膜的成膜方法和成膜装置.pdf
本发明涉及碳膜的成膜方法和成膜装置。使用卤素作为催化剂的低温CVD碳成膜工艺中,减少卤素的影响,改善碳膜的生产率和膜质。具备如下工序:向基板供给含碳气体和卤素气体,利用化学气相沉积使碳膜沉积在基板上的工序;和,供给跟构成前述卤素气体的卤素反应的气体,使前述碳膜内所含的前述卤素减少的工序,将使前述碳膜沉积的工序和使前述卤素减少的工序作为1个循环,重复多个循环。
成膜方法和成膜装置.pdf
在成膜室(2a)的内部至少设置蒸镀材料和基板(S),通过排气和/或提供不改变蒸镀材料的组成的气体,将所述成膜室(2a)的内部的包含所述基板(S)的第1区域(A)设定为0.05Pa~100Pa的气氛,将所述成膜室(2a)的内部的包含所述蒸镀材料的第2区域(B)设定为0.05Pa以下的气氛,在上述的状态下,通过真空蒸镀法,在第2区域(B)中使蒸镀材料蒸发,在第1区域(A)中将蒸发出的蒸镀材料成膜在被蒸镀物上。
成膜方法、成膜装置和程序.pdf
本发明提供一种在具有能够配备多个靶材的阴极单元的成膜装置中执行的成膜方法,其为提高能够配备多个靶材的成膜装置的工作效率的技术,该成膜方法包括:在安装在阴极单元的同一材料的第一靶材和第二靶材之中,按照第一靶材的方案,使用第一靶材进行成膜处理的步骤;在管理第一靶材的寿命的值达到了预先设定的阈值后,从用户接收成膜处理中使用的第二靶材的选择的步骤;和按照将第一靶材的方案的靶材关联控制项目的设定转换为选择的第二靶材的方案,使用选择的第二靶材进行成膜处理的步骤,由此来解决课题。
成膜装置及成膜方法.pdf
本发明是一种成膜装置,其至少具备:雾化部,其雾化原料溶液而产生雾;连接于所述雾化部、并输送含有所述雾的载气的配管;输送向含有所述雾的载气中混合、并以1种以上的气体为主成分的添加用流体的至少一根以上的配管;与成膜部连接、并输送将含有所述雾的载气和所述添加用流体混合后的混合雾流体的配管;连接部件,其连接输送含有所述雾的载气的配管、输送所述添加用流体的配管、以及输送所述混合雾流体的配管;以及成膜部,其对所述雾进行热处理而在基体上进行成膜,通过所述连接部件连接的、输送所述添加用流体的配管与输送所述混合雾流体的配管
成膜装置及成膜方法.pdf
本发明抑制在成膜装置中生长的膜中混入意料不到的杂质。本发明提供一种成膜装置,其通过向基体的表面供给溶液的喷雾而使膜在所述基体的所述表面生长,该成膜装置具有:加热炉,其收容并加热所述基体;以及喷雾供给装置,其向所述加热炉供给所述溶液的所述喷雾。所述成膜装置中的暴露在所述喷雾中的部分的至少其中一部分由含有氮化硼的材料制成。