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本发明涉及碳膜的成膜方法和成膜装置。使用卤素作为催化剂的低温CVD碳成膜工艺中,减少卤素的影响,改善碳膜的生产率和膜质。具备如下工序:向基板供给含碳气体和卤素气体,利用化学气相沉积使碳膜沉积在基板上的工序;和,供给跟构成前述卤素气体的卤素反应的气体,使前述碳膜内所含的前述卤素减少的工序,将使前述碳膜沉积的工序和使前述卤素减少的工序作为1个循环,重复多个循环。