

一种晶圆旋转机构和晶圆处理装置.pdf
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相关资料
一种晶圆旋转机构和晶圆处理装置.pdf
本发明公开了一种晶圆旋转机构和晶圆处理装置,该机构包括主动轮组件和从动轮组件;所述主动轮组件包括前压盖、后压盖和驱动轮,所述前压盖和后压盖配合将驱动轮夹紧在二者之间,所述驱动轮的侧边缘具有环形卡槽,所述环形卡槽用于抵接晶圆并带动晶圆旋转,所述环形卡槽由弹性材料制成,所述环形卡槽包括两个相对的用于限位晶圆的侧壁,所述侧壁的内侧具有倾斜的引导面。
晶圆偏转装置和晶圆处理装备.pdf
本申请公开了一种晶圆偏转装置,包括晶圆托架和驱动晶圆托架在第一定向和第二定向之间摆动的驱动机构,其控制晶圆托架以符合预定的角速度‑时间曲线的方式从第一定向摆动到第二定向,角速度‑时间曲线包括至少一个加速段和至少一个减速段,驱动机构包括摆动轴和驱动摆动轴旋转的电机组件,晶圆托架与摆动轴连接以随摆动轴摆动,晶圆托架包括弓形托臂,弓形托臂的轮廓为90
晶圆处理装置及晶圆处理方法.pdf
本发明涉及半导体制造技术领域,尤其涉及一种晶圆处理装置及晶圆处理方法。所述晶圆处理装置包括:支撑台,具有用于承载晶圆的承载面;喷嘴,位于所述支撑台上方,且仅具有气体喷口,所述喷嘴能够沿与所述承载面平行的方向移动,所述气体喷口用于向所述承载面上承载的所述晶圆喷射气体,以除去所述晶圆表面残留的液体。本发明一方面,减少了所述晶圆表面液体的残留;另一方面,减少甚至是避免了晶圆易出现图案坍塌的问题,提高了晶圆产品的良率。
晶圆处理方法及晶圆处理装置.pdf
本申请涉及半导体制造技术领域,尤其涉及一种晶圆处理方法及晶圆处理装置。所述晶圆处理方法包括如下步骤:建立映射关系,所述映射关系包括多个热处理温度、以及与多个所述热处理温度一一对应的多个降温处理时间,所述热处理温度是炉管制程中炉管达到的最高温度,所述降温处理时间根据晶圆的温度从所述热处理温度降低到目标温度的时间确定;获取目标晶圆处理工艺条件中的目标热处理温度;根据所述映射关系获取与所述目标热处理温度对应的目标降温处理时间;根据所述目标降温处理时间对经过炉管制程处理的目标晶圆进行降温。本申请节省了扩散机台对晶
晶圆旋转装置.pdf
本发明提供一种晶圆旋转装置用于晶圆处理设备。晶圆旋转装置包括基座、承载装置、第一轴齿轮、动力单元、滚轮、第二轴齿轮与驱动组件。基座具有容置空间。承载装置配置于容置空间内,且用以容置晶圆。第一轴齿轮配置于基座的侧面。动力单元组装至基座的顶部,其中第一轴齿轮连接动力单元。滚轮位于承载装置下,且承靠晶圆的边缘。第二轴齿轮配置于基座的侧面上,且连接滚轮。驱动组件连接于第一轴齿轮与第二轴齿轮之间。当动力单元提供动力使第一轴齿轮与驱动组件转动时,第二轴齿轮转动以带动滚轮转动,使晶圆转动。