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本发明属于半导体工艺技术领域,具体涉及一种电容结构的制备方法、电容结构及存储器,用于解决电容结构漏电流较大的技术问题。该电容结构的制备方法包括:在第一电极上形成介电层;其中,介电层包括堆叠设置的第一无定形层和高介电常数层,第一无定形层退火后保持无定形结构,高介电常数层由初始介电常数层退火后结晶形成;在介电层上形成第二电极。由于第一无定形层退火后仍为无定形结构,可以抑制电子传输,从而降低了电容结构的漏电流。