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(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN115896643A(43)申请公布日2023.04.04(21)申请号202211451689.0B22F1/052(2022.01)(22)申请日2022.11.21B22F1/054(2022.01)C22C33/02(2006.01)(71)申请人江西理工大学C21D6/02(2006.01)地址341000江西省赣州市红旗大道86号B22F9/02(2006.01)(72)发明人王磊胡欣洋张莉丽孙晟谕B22F1/145(2022.01)李家节B22F9/04(2006.01)(74)专利代理机构郑州知一智业专利代理事务B22F9/14(2006.01)所(普通合伙)41172B22F9/12(2006.01)专利代理师刘彩霞B22F3/10(2006.01)B22F3/24(2006.01)(51)Int.Cl.H01F1/057(2006.01)C22C38/10(2006.01)H01F41/02(2006.01)C22C38/16(2006.01)C22C38/14(2006.01)C22C38/06(2006.01)C22C38/12(2006.01)权利要求书2页说明书4页附图3页(54)发明名称一种钼纳米粉复合钕铁硼磁体及其制备方法(57)摘要本发明公开了一种钼纳米粉复合钕铁硼磁体及其制备方法,由主合金和辅合金制成,将主合金和辅合金混合均匀后用磁场成型法或者热压变形获得成型体,然后在真空或惰性气体中以1020~1070℃烧结5小时之后,在经过时效处理,得到复合钕铁硼磁体。本发明使用双合金法制备钕铁硼磁体,相比于传统的单合金法在熔炼时加入Mo元素,可以更好的控制晶粒的长大,并且可以更方便的调控主合金与辅合金的比例从而控制制备磁体的磁性能;同时利用辅合金为纳米尺度的优势,比表面积大,在烧结时扩散效率高,使得制备的磁体更加致密化,在晶界处形成均匀的Mo相,防止Mo元素进入主相晶粒,从而提高磁体的综合磁性能。CN115896643ACN115896643A权利要求书1/2页1.一种钼纳米粉复合钕铁硼磁体,其特征在于:由主合金和辅合金复合而成,质量为一百份的钼纳米粉复合钕铁硼磁体中,所述主合金的质量份数为98~99.8,辅合金的质量份数为0.2~2;所述主合金的化学式为(NdPr)32.2Fe64.3Co1(GaCuTiAl)1.55B0.95,所述辅合金的化学式为Mo;其中,主合金化学式中的数字下标均为质量百分比。2.如权利要求1所述钼纳米粉复合钕铁硼磁体,其特征在于:制得钕铁硼磁体的富Mo相晶界厚度为30~80nm。3.如权利要求1所述钼纳米粉复合钕铁硼磁体,其特征在于:所述主合金的D50粒径为3~4μm。4.如权利要求1所述钼纳米粉复合钕铁硼磁体,其特征在于:所述辅合金为Mo的纳米粉体。5.如权利要求1所述钼纳米粉复合钕铁硼磁体,其特征在于:所述辅合金的比表面积为3~8m2;D50粒径为30~80nm;纯度为99.9%。6.一种如权利要求1至5中任一种所述钼纳米粉复合钕铁硼磁体的制备方法,其特征在于:包括以下步骤:S1、将所述主合金和所述辅合金在氮气的保护下充分均匀混合;S2、用磁场成型法获得成型体;S3、将步骤S2中热处理后的成型体在真空或惰性气体中以1070℃烧结5小时之后,得到烧结体毛坯;S4、将步骤S3中的烧结体毛坯进行时效处理,得到钼纳米粉复合钕铁硼磁体。7.如权利要求6所述钼纳米粉复合钕铁硼磁体的制备方法,其特征在于:所述时效处理是指:将步骤S3中的烧结体毛坯在900℃的条件下进行一级时效处理处理4小时,在460℃~520℃的条件下进行二级时效处理5小时。8.如权利要求6所述钼纳米粉复合钕铁硼磁体的制备方法,其特征在于:所述主合金的制备方法如下:S111、取纯度均为99.99%的NdPr及Fe、Co、GaCuTiAl、B块体,以化学式(NdPr)32.2Fe64.3Co1(GaCuTiAl)1.55B0.95进行相应质量配样后于熔炼炉里反复熔炼5次得到相应的合金;S112、将步骤S111获得的合金置于真空石英管中,再放入退火炉中,以每分钟5℃的速度升为790℃后,保温1小时;再以每分钟2℃的速度升为830℃,保温18天,然后再水中急冷;S113、将退火后的合金分别用甩带工艺制备得到速凝片,其中甩带工艺的转速为38~45m/s;S114、将得到的速凝片分别用氢爆工艺处理,得到粒径范围为1~3mm的粉体;S115、将步骤S114所述的氢爆粉体在550℃进行脱氢处理,加入与粉体比例为0.16%质量比的硬脂酸锌作为抗氧化剂混合2小时,粉碎至D50粒径为3‑4μm,即制得主合金。9.如权利要求6所述钼纳米粉复合钕铁硼磁体的制备方法,其特征在于: