一种HfFe纳米粉复合钕铁硼磁体及其制备方法.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN115976423A(43)申请公布日2023.04.18(21)申请号202211451673.XB22F3/24(2006.01)(22)申请日2022.11.21B22F9/02(2006.01)B22F9/04(2006.01)(71)申请人江西理工大学B22F9/12(2006.01)地址341000江西省赣州市红旗大道86号B22F9/14(2006.01)(72)发明人王磊胡欣洋张莉丽孙晟谕C21D6/02(2006.01)李家节C22C33/02(2006.01)(74)专利代理机构郑州知一智业专利代理事务C22C38/10(2006.01)所(普通合伙)41172C22C38/14(2006.01)专利代理师郜廷伟C22C38/16(2006.01)H01F1/057(2006.01)(51)Int.Cl.H01F41/02(2006.01)C22C38/06(2006.01)B22F1/052(2022.01)B22F1/054(2022.01)B22F1/145(2022.01)B22F3/10(2006.01)权利要求书2页说明书4页附图2页(54)发明名称一种HfFe纳米粉复合钕铁硼磁体及其制备方法(57)摘要本发明公开了一种HfFe纳米粉复合钕铁硼磁体及其制备方法。采用双合金法制备，使HfFe纳米粉复合钕铁硼磁体形成富Hf相晶界；其制备方法是将主合金和辅合金混合后用磁场成型法获得成型体，然后在真空或者惰性气体中烧结，然后经过时效处理得到复合钕铁硼磁体。本发明能够更好的发挥Hf元素提升钕铁硼磁体矫顽力的作用，并减少制得钕铁硼磁体中的氧含量；使用HfFe合金纳米粉替代了单Hf元素在钕铁硼磁体中的添加，充分发挥纳米粉体的优势，可以在晶界处形成更均匀的富Hf相，控制了Hf元素在晶界的厚度，保证Hf元素不进入或尽量少进入主相晶粒，不影响剩磁，并且解决了Hf元素在高温条件下容易氧化的问题，综合的提高了钕铁硼磁体的磁性能。CN115976423ACN115976423A权利要求书1/2页1.一种HfFe纳米粉复合钕铁硼磁体，其特征在于：由主合金和辅合金复合而成，使HfFe纳米粉复合钕铁硼磁体形成富Hf相晶界；质量为一百份的HfFe纳米粉复合钕铁硼磁体中，所述主合金的质量份数为98～99.8，辅合金的质量份数为0.2～2；所述主合金的化学式为(NdPr)32.2Fe64.3Co1(GaCuTiAl)1.55B0.95；所述辅合金的化学式为HfFe；其中，主合金化学式中的数字下标为质量百分比。2.如权利要求1所述HfFe纳米粉复合钕铁硼磁体，其特征在于：富Hf相晶界厚度为100～120nm。3.如权利要求1所述HfFe纳米粉复合钕铁硼磁体，其特征在于：所述辅合金为Hf与Fe的合金纳米粉体；质量为一百份的辅合金中，所述Hf的质量份数为40～60，Fe的质量份数为40～60。4.如权利要求1所述HfFe纳米粉复合钕铁硼磁体，其特征在于：所述主合金的D50粒径为3～4μm。5.如权利要求1所述HfFe纳米粉复合钕铁硼磁体，其特征在于：所述辅合金的D50粒径约为100nm。6.一种如权利要求1至5中任一种所述HfFe纳米粉复合钕铁硼磁体的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：S1、将所述主合金粉末和所述辅合金粉末在氮气的保护下充分均匀混合；S2、用磁场成型法获得成型体；S3、将步骤S2得到的成型体在真空或惰性气体中以1070℃烧结5小时之后，得到烧结体毛坯；S4、将步骤S3得到的烧结体毛坯进行时效处理，得到HfFe合金纳米粉复合钕铁硼磁体。7.如权利要求6所述HfFe纳米粉复合钕铁硼磁体的制备方法，其特征在于：所述时效处理是指：将步骤S3得到的烧结体毛坯在900℃的条件下进行一级时效处理4小时，在520℃的条件下进行二级时效处理5小时。8.如权利要求6所述HfFe纳米粉复合钕铁硼磁体的制备方法，其特征在于：所述主合金的制备方法如下：S111、取纯度均为99.99％的NdPr、Fe、Co、GaCuTiAl、B，以化学式(NdPr)32.2Fe64.3Co1(GaCuTiAl)1.55B0.95进行相应质量配样后反复熔炼5次得到相应的合金；S112、将步骤S111获得的合金置于真空石英管中，再放入退火炉中，以每分钟5℃的速度升为790℃后，保温1小时；再以每分钟2℃的速度升为830℃，保温18天，然后再水中急冷；S113、将退火后的合金用甩带工艺制备得到速凝片，其中甩带工艺的转速为38～45m/s；S114、将得到的速凝片用氢爆工艺处理，得到粒径范围为1～3mm的粉体；S115、将步骤S114所述的氢爆粉体在550℃进行脱氢处理，加入与粉体比例为0.16％质量比的硬脂