谐振器的制备方法及谐振器.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN116032233A(43)申请公布日2023.04.28(21)申请号202310318312.6(22)申请日2023.03.29(71)申请人武汉敏声新技术有限公司地址430000湖北省武汉市东湖新技术开发区花城大道9号武汉软件新城三期D7栋4层01号(72)发明人林炳辉蔡耀邹杨高超王雅馨孙博文孙成亮(74)专利代理机构北京康信知识产权代理有限责任公司11240专利代理师王晓玲(51)Int.Cl.H03H3/02(2006.01)H03H9/17(2006.01)H03H9/02(2006.01)权利要求书2页说明书7页附图4页(54)发明名称谐振器的制备方法及谐振器(57)摘要本发明提供了一种谐振器的制备方法及谐振器。制备方法包括：提供半导体基体，半导体基体具有第一表面；在具有第一表面的半导体基体的一侧形成第一单晶层；在第一单晶层远离半导体基体的一侧形成压电层；在第一表面上形成间隔设置的两个阻隔件，阻隔件将第一单晶层分隔为多个单晶层，多个单晶层与两个阻隔件交替设置；顺序刻蚀压电层和单晶层，形成贯穿单晶层的第一通孔和贯穿压电层的第二通孔，第一通孔和第二通孔连通；根据第一通孔和第二通孔去除位于相邻阻隔件之间的键合层，形成空腔。上述方法由于在单晶层上生长得到的薄膜质量较好，因此该谐振器结构中能够得到高质量的第一电极层和压电层从而提高了具有该谐振器结构的谐振器的性能。CN116032233ACN116032233A权利要求书1/2页1.一种谐振器的制备方法，其特征在于，包括：提供半导体基体，所述半导体基体具有第一表面；在具有所述第一表面的所述半导体基体的一侧形成第一单晶层；在所述第一单晶层远离所述半导体基体的一侧形成压电层；在所述第一表面上形成间隔设置的两个阻隔件，所述两个阻隔件将所述第一单晶层分隔为多个单晶层，所述多个单晶层与所述两个阻隔件交替设置；顺序刻蚀所述压电层和所述单晶层，形成贯穿所述单晶层的第一通孔和贯穿所述压电层的第二通孔，所述第一通孔和所述第二通孔连通；根据所述第一通孔和所述第二通孔去除位于相邻所述阻隔件之间的键合层，形成空腔。2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在形成所述第一单晶层的步骤中，所述制备方法包括：提供单晶基体，所述单晶基体具有第二表面；在所述第一表面上形成第一键合层，在所述第二表面上顺序形成第一电极层和第二键合层，以使所述第一电极层覆盖部分所述第二表面，所述第二键合层覆盖所述第一电极层和剩余的部分所述第二表面；将所述第一键合层和所述第二键合层键合连接，形成第一键合体，所述第一键合层和所述第二键合层构成所述谐振器的键合层；去除所述第一键合体中远离所述键合层的部分所述单晶基体，以使剩余的部分所述单晶基体形成所述第一单晶层。3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述制备方法还包括：在形成所述第一电极层和所述第二键合层的步骤之前，对所述单晶基体进行离子注入，以在所述单晶基体中形成损伤层，以使所述损伤层将所述单晶基体划分至位于所述损伤层两侧的两部分所述单晶基体。4.根据权利要求2或3所述的制备方法，其特征在于，形成所述两个阻隔件的步骤包括：顺序刻蚀所述压电层、所述第一单晶层和所述键合层，形成自所述压电层贯穿至所述第一表面的两个沟槽，以使所述两个沟槽将所述第一单晶层分隔为所述多个单晶层，且所述第一电极层与所述两个沟槽之间的所述单晶层接触设置；在所述两个沟槽中沉积阻隔材料，形成所述两个阻隔件。5.一种谐振器，其特征在于，包括：半导体基体，具有第一表面；两个阻隔间，间隔设置与所述第一表面上；多个单晶层，设置于所述两个阻隔件远离所述第一表面的一侧，所述多个单晶层与所述两个阻隔间交替设置；压电层，设置于所述多个单晶层远离所述半导体基体的一侧；空腔，设置于所述两个阻隔件、所述多个单晶层以及所述半导体基体之间，且所述阻隔件之间的所述单晶层中具有第一通孔，压电层中具有第二通孔，所述第一通孔和所述第二通孔连通。6.根据权利要求5所述的谐振器，其特征在于，所述阻隔件远离所述半导体基体的一侧2CN116032233A权利要求书2/2页表面与所述第一表面的垂直距离为第一距离，所述压电层远离所述半导体基体的一侧表面与所述第一表面的垂直距离为第二距离，所述第一距离小于所述第二距离。7.根据权利要求5或6所述的谐振器，其特征在于，还包括：键合层，设置于所述第一表面上，且所述键合层位于所述两个阻隔件的外侧，且所述键合层键合连接所述单晶层和所述半导体基体，所述键合层和所述阻隔件具有不同的刻蚀选择比。8.根据权利要求5或6所述的谐振器，其特征在于，所述谐振器在垂直于所述第一表面的方向上具有第一截面，所述阻隔件在所述第一截面上具有第一区域和第二区域，所述第一区域