半导体器件及其制备方法.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN116031287A(43)申请公布日2023.04.28(21)申请号202310326657.6(22)申请日2023.03.30(71)申请人合肥新晶集成电路有限公司地址230012安徽省合肥市新站区综合保税区内西淝河路88号(72)发明人郑大燮汪文婷(74)专利代理机构华进联合专利商标代理有限公司44224专利代理师熊文杰(51)Int.Cl.H01L29/06(2006.01)H01L29/78(2006.01)H01L21/336(2006.01)权利要求书2页说明书10页附图13页(54)发明名称半导体器件及其制备方法(57)摘要本发明涉及一种半导体器件及其制备方法，其中半导体器件的制备方法包括：提供具有浅沟槽隔离结构的衬底，于衬底内形成阱区和漂移区，漂移区与阱区在第一方向上相邻，浅沟槽隔离结构位于漂移区内，并在漂移区内以及沿第一方向位于浅沟槽隔离结构的相对两侧边缘形成反掺杂区，该反掺杂区的与漂移区的材料不同。由于反掺杂区能够产生降低表面电场效应，因此，可以在不显著降低半导体器件其他性能的情况下，大幅度降低半导体器件在高频工作条件下的米勒电容，提高了半导体器件的击穿电压‑导通电阻性能，具有较高击穿电压以及较低的导通电阻，增强了半导体器件的高频性能，降低了半导体器件应用过程中的功率损耗，降低了工艺成本。CN116031287ACN116031287A权利要求书1/2页1.一种半导体器件的制备方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底具有浅沟槽隔离结构；于所述衬底内形成阱区；于所述衬底内形成漂移区；其中，所述漂移区在第一方向上与所述阱区相邻设置，所述浅沟槽隔离结构位于所述漂移区内；于所述漂移区内以及沿所述第一方向位于所述浅沟槽隔离结构的相对两侧边缘形成反掺杂区；其中，所述漂移区与所述反掺杂区的材料不同。2.根据权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述于所述衬底内形成漂移区，包括：对所述衬底的第一预设区域进行第一离子注入；对所述衬底的第二预设区域进行第二离子注入；对所述衬底的第三预设区域进行第三离子注入，以形成所述漂移区；其中，所述第一预设区域、所述第二预设区域和所述第三预设区域沿所述衬底的厚度方向朝向所述衬底的上表层排布；所述第一离子注入的离子能量大于所述第二离子注入的离子能量，所述第二离子注入的离子能量大于所述第三离子注入的离子能量。3.根据权利要求2所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述第一离子注入和所述第二离子注入的注入方向为垂直所述衬底的方向，所述第三离子注入的注入方向为垂直所述衬底向平行所述衬底偏移30度的方向。4.根据权利要求2所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述第一离子注入的注入离子、所述第二离子注入的注入离子、所述第三离子注入的注入离子均为磷离子。5.根据权利要求2所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述于所述漂移区内以及沿所述第一方向位于所述浅沟槽隔离结构的相对两侧边缘形成反掺杂区，包括：对所述漂移区的上表层进行第四离子注入，以形成所述反掺杂区；其中，所述第四离子注入的离子能量小于所述第二离子注入的离子能量。6.根据权利要求5所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述第四离子注入的注入离子为铟离子。7.根据权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述半导体器件的制备方法还包括：于所述阱区和所述漂移区上形成栅氧化层；于所述栅氧化层上形成多晶硅层；于所述栅氧化层和所述多晶硅层的两侧，以及所述阱区和所述漂移区上形成侧墙；于所述阱区内形成源极；于所述漂移区形成漏极，所述漏极在所述第一方向上与所述浅沟槽隔离结构相邻。8.一种半导体器件，其特征在于，包括：衬底；阱区，位于所述衬底内；漂移区，在第一方向上与所述阱区相邻设置，且所述漂移区内设有浅沟槽隔离结构；反掺杂区，位于所述漂移区内以及沿所述第一方向位于所述浅沟槽隔离结构的相对两2CN116031287A权利要求书2/2页侧边缘；其中，所述漂移区与所述反掺杂区的材料不同。9.根据权利要求8所述的半导体器件，其特征在于，所述漂移区的材料为磷，所述反掺杂区的材料为铟。10.根据权利要求8所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件还包括：栅氧化层，位于所述阱区和所述漂移区上；多晶硅层，位于所述栅氧化层上；侧墙，位于所述栅氧化层和所述多晶硅层的两侧，且位于所述阱区和所述漂移区上；源极，位于所述阱区内；漏极，位于所述漂移区内，并在所述第一方向上与所述浅沟槽隔离结构相邻设置。3CN116031287A说明书1/10页半导体器件及其制备方法技术领域[0001]本申请涉及半导体技术领域，特别是涉及一种半导体器件及其制备方法。背景技术[0002]随着半导体技术的发展，横向