半导体工艺腔室及其管路检测方法.pdf
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半导体工艺腔室及其管路检测方法.pdf
本发明提供一种管路检测方法,包括:等离子体形成步骤、控制半导体工艺腔室的一根进气管路向腔体中提供工艺气体,并控制启辉组件电离腔体中的工艺气体以形成等离子体;识别步骤、控制光信号检测装置检测等离子体产生的光信号,并将光信号对应于各波长的幅值与各工艺气体对应的标准光信号进行比较,若光信号对应于各波长的幅值与某一工艺气体对应的标准光信号匹配,则判定对应的进气管路状态正常;重复上述步骤,以对多根进气管路进行检测。本发明提供的管路检测方法根据气体电离形成的等离子体的光信号判断工艺气体纯度,进而识别管路对应的工艺气体
半导体工艺腔室及其清洗方法.pdf
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半导体工艺设备及其工艺腔室.pdf
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半导体工艺腔室.pdf
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腔室泄漏检测方法和半导体工艺设备.pdf
本发明实施例提供了一种腔室泄漏检测方法和半导体工艺设备,应用于半导体装备技术领域,该方法包括:从多个工艺腔室中确定符合预设测漏条件的目标工艺腔室,以及确定处于闲置状态的目标气体分析仪,打开目标气体分析仪与目标工艺腔室之间的隔离阀,并关闭目标气体分析仪与其它工艺腔室之间的隔离阀,使目标气体分析仪只与目标工艺腔室连通,启动目标气体分析仪,使目标气体分析仪在根据目标工艺腔室内的气体成分确定目标工艺腔室泄漏的情况下,输出指示目标工艺腔室泄漏的第一报警信息。在包括多个工艺腔室的半导体工艺设备中,多个工艺腔室可以共享