腔室泄漏检测方法和半导体工艺设备.pdf
大渊****公主
亲,该文档总共20页,到这已经超出免费预览范围,如果喜欢就直接下载吧~
相关资料
腔室泄漏检测方法和半导体工艺设备.pdf
本发明实施例提供了一种腔室泄漏检测方法和半导体工艺设备,应用于半导体装备技术领域,该方法包括:从多个工艺腔室中确定符合预设测漏条件的目标工艺腔室,以及确定处于闲置状态的目标气体分析仪,打开目标气体分析仪与目标工艺腔室之间的隔离阀,并关闭目标气体分析仪与其它工艺腔室之间的隔离阀,使目标气体分析仪只与目标工艺腔室连通,启动目标气体分析仪,使目标气体分析仪在根据目标工艺腔室内的气体成分确定目标工艺腔室泄漏的情况下,输出指示目标工艺腔室泄漏的第一报警信息。在包括多个工艺腔室的半导体工艺设备中,多个工艺腔室可以共享
半导体工艺腔室和半导体工艺设备.pdf
本申请公开一种半导体工艺腔室和半导体工艺设备,涉及半导体工艺技术领域。该半导体工艺腔室包括腔室本体、用于产生等离子体的线圈、用于承载晶圆的基座和金属结构件,所述基座和所述金属结构件均设置于所述腔室本体内,所述金属结构件的至少部分与所述腔室本体的内壁相对设置,且所述金属结构件设置于所述基座用于放置所述晶圆的位置的周围或侧方,所述金属结构件与所述基座电连接,以在受到所述等离子体中的离子轰击后在所述腔室本体的内壁形成金属膜。该方案能够解决目前的半导体工艺腔室的产能较低的问题。
半导体工艺腔室及半导体工艺设备.pdf
本发明提供一种半导体工艺腔室及半导体工艺设备,半导体工艺腔室包括腔室本体、旋转升降组件和设置在腔室本体内的承载部件和加热组件,承载部件用于承载晶圆,加热组件位于承载部件下方,用于通过加热承载部件,以加热承载部件上的晶圆,旋转升降组件包括分别设置在腔室本体外内的磁发生部件和磁配合部件,磁发生部件用于在通电时产生磁场使磁配合部件磁化,向磁配合部件施加悬浮支撑力和旋转驱动力,磁配合部件与承载部件连接,用于在磁发生部件向其施加的悬浮支撑力和旋转驱动力的作用下悬浮并旋转,带动承载部件在腔室本体内悬浮并旋转。本发明提
半导体工艺设备及腔室压力控制方法.pdf
本发明提供一种半导体工艺设备及腔室压力控制方法,其中,半导体工艺设备包括第一控制单元和第二控制单元,第二控制单元所执行的腔室压力控制方法包括:接收第一控制单元发送的充气信号,根据充气信号控制充气单元开始充气;在确定腔室压力达到预设压力值时,控制充气单元停止充气,其中,预设压力值小于目标压力值;若接收到第一控制单元发送的计时信号,则控制充气单元再次开始充气,并开始计时;在接收到第一控制单元发送的停止充气信号或者计时时长达到第一等待时长时,控制充气单元停止充气。第一控制单元和第二控制单元联合实现双点位控制,防
反应腔室及半导体工艺设备.pdf
本申请公开了一种反应腔室及半导体工艺设备,涉及半导体工艺设备领域。一种反应腔室,包括:腔室主体;基座,所述基座可旋转地设置于所述腔室主体内,所述基座用于承载晶片;诱导磁组,所述诱导磁组设置于所述基座外侧,且所述诱导磁组与所述基座同步旋转,用于在所述晶片上形成平行于所述晶片的诱导磁场;所述诱导磁组和所述基座的自转速度与所述半导体工艺设备中的磁控装置的旋转速度相同。一种半导体工艺设备,包括靶材、磁控装置和反应腔室,所述靶材设置于所述反应腔室的顶部开口处,所述磁控装置可在所述靶材上方围绕所述反应腔室的轴线转动。