半导体工艺设备及其工艺腔室.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN114411122A(43)申请公布日2022.04.29(21)申请号202210064468.1(22)申请日2022.01.20(71)申请人北京北方华创微电子装备有限公司地址100176北京市北京经济技术开发区文昌大道8号(72)发明人侯鹏飞李建国(74)专利代理机构北京天昊联合知识产权代理有限公司11112代理人彭瑞欣王婷(51)Int.Cl.C23C16/50(2006.01)C23C16/458(2006.01)权利要求书2页说明书9页附图5页(54)发明名称半导体工艺设备及其工艺腔室(57)摘要本申请实施例提供了一种半导体工艺设备的工艺腔室。该工艺腔室的前法兰和后法兰分别设置在炉管的炉口和炉尾处；支撑机构设置于炉管内，支撑机构包括有两个支撑杆，支撑杆用于承载第一晶舟及第二晶舟；两个第一电极机构分别套设于两个支撑杆的第一端，并且两个第一电极结构的极性相反，用于在第一晶舟装载于支撑杆上时，承载第一晶舟前端，并且分别与第一晶舟前端的两侧电连接，以将电极引入至第一晶舟；第二电极机构设置于炉管的炉尾处，用于在第二晶舟装载于支撑杆上时，将电极引入至第二晶舟。本申请实施例实现了避免第一电极结构随悬臂桨及炉门运动，从而不仅使得第一电极机构结构简单，而且还能大幅减小空间占用。CN114411122ACN114411122A权利要求书1/2页1.一种半导体工艺炉的工艺腔室，其特征在于，包括：炉管、前法兰、后法兰、支撑机构、第一电极机构及第二电极机构；所述前法兰和后法兰分别设置在所述炉管的炉口和炉尾处；所述支撑机构设置于所述炉管内，所述支撑机构包括有两个支撑杆，所述支撑杆的第一端与所述前法兰连接，所述支撑杆的第二端与所述后法兰连接，所述支撑杆用于承载第一晶舟及第二晶舟；两个所述第一电极机构分别套设于两个所述支撑杆的第一端，并且两个所述第一电极结构的极性相反，用于在所述第一晶舟装载于所述支撑杆上时，承载所述第一晶舟前端，并且分别与所述第一晶舟前端的两侧电连接，以将电极引入至所述第一晶舟；所述第二电极机构设置于所述炉管的炉尾处，用于在所述第二晶舟装载于所述支撑杆上时，将电极引入至所述第二晶舟。2.如权利要求1所述的工艺腔室，其特征在于，所述支撑机构还包括有多个承载块，所述承载块设置于所述前法兰和后法兰上，多个所述承载块分别用于固定所述支撑杆的第一端及第二端；所述第一电极机构包括有电极支撑组件及电极引入组件，所述电极支撑组件套设于所述支撑杆的第一端的外周，所述电极引入组件穿设于所述前法兰上，其一端与所述电极支撑组件连接，另一端与射频电源连接。3.如权利要求2所述的工艺腔室，其特征在于，所述电极支撑组件包括有支撑管、连接杆、连接部件、绝缘部件及转接块，所述支撑管套设于所述支撑杆的外周；所述转接块可拆卸的连接于所述支撑管上，用于承载所述第一晶舟前端；所述连接杆的一端与所述支撑管连接，另一端与所述连接部件连接，并且沿所述支撑杆的延伸的方向设置；所述连接部件卡合于所述承载块的两侧，并且所述连接部件与所述承载块之间设置有所述绝缘部件，所述连接部件用于与所述电极引入组件连接。4.如权利要求3所述的工艺腔室，其特征在于，所述电极支撑组件还包括有定位端板及定位件，所述定位端板设置于所述支撑管的外周壁上，所述定位件用于将所述转接块与所述定位端板定位连接。5.如权利要求3所述的工艺腔室，其特征在于，所述连接部件包括承载板和连接板，所述承载板一端与所述连接杆连接，另一端与所述连接板连接；所述连接板为折弯结构，其一折弯面与所述承载板连接，并且与所述绝缘部件贴合设置，另一折弯面与所述电极引入组件连接；所述绝缘部件上设置有用于承载所述承载板的台阶。6.如权利要求2所述的工艺腔室，其特征在于，所述前法兰的周壁上设置有连通所述前法兰内外的连通管；所述电极引入组件包括有引入杆、绝缘套及插座，所述引入杆的外周套设有所述绝缘套，并且穿设于所述连通管内，所述引入杆的一端与所述电极支撑组件连接，另一端与所述插座连接；所述绝缘套朝向所述插座的端部外周设置有密封凸台，用于与所述连通管的端部密封连接；所述插座套设于所述连通管的端部外周，用于将所述密封凸台压紧于所述连通管的端部上。7.如权利要求2所述的工艺腔室，其特征在于，所述支撑机构还包括有压紧件，所述承载块的顶部开设限位槽，用于容置所述支撑杆的所述第一端及所述第二端，所述压紧件设置于所述承载块的顶部，用于将所述第一端及所述第二端压紧于所述限位槽内。8.如权利要求3所述的工艺腔室，其特征在于，所述支撑机构还包括有多个第一承载2CN114411122A权利要求书2/2页套、多个第二承载套和多个限位件，所述第一承载套设于所述支撑杆与所述支撑管和所述连接杆之间，用