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半导体器件和使用多个CMP工艺制造半导体器件的方法.pdf
2023-05-25
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半导体器件和使用多个CMP工艺制造半导体器件的方法.pdf
本公开涉及半导体器件和使用多个CMP工艺制造半导体器件的方法。一种制造半导体器件的方法,所述方法包括在器件晶片的背侧表面上执行一个或多个研磨工艺,以将所述器件晶片从第一厚度减薄到第二厚度。在所述器件晶片的所述背侧表面上执行第一化学机械抛光(CMP)工艺,以将所述器件晶片从所述第二厚度减薄到第三厚度。在所述器件晶片的所述背侧表面上执行第二CMP工艺,以选择性地去除设置在所述半导体器件的有源器件区域上方的器件晶片材料,其中所述器件晶片材料的去除速率是深度的函数。
2023-05-25
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制造半导体器件的方法和半导体器件.pdf
本申请的实施例提供了一种半导体器件及其制造方法。在制造半导体器件的方法中，在衬底上方形成栅极介电层；在栅极介电层上方形成牺牲层；图案化牺牲层以形成牺牲栅电极；通过部分地蚀刻牺牲栅电极在牺牲栅电极中形成多个开口；利用与牺牲栅电极的材料不同的填充材料填充多个开口；去除牺牲栅电极以形成栅极空间，从而在栅极空间中留下多个柱或壁；以及利用一种或多种导电材料填充栅极空间，从而形成金属栅电极。
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本发明提供了一种半导体器件的制造方法和一种半导体器件，其中，所述制造方法包括：对N型外延层进行刻蚀，以形成第一沟槽；在第一沟槽的衬底表面生长第一氧化层并进行回刻处理，仅保留第一沟槽的侧壁上的第一氧化层；对第一沟槽进行填充处理，形成P型填充区域；对P型填充区域进行刻蚀形成多个第二沟槽；在多个第二沟槽的衬底表面生长第二氧化层并进行回刻处理，仅保留多个第二沟槽的侧壁上的第二氧化层；对多个第二沟槽进行填充处理，形成多个N型填充区域，以形成目标衬底结构，并在目标衬底结构的基础上完成半导体器件的制造。通过本发明的技术
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制造半导体器件的方法和半导体器件.pdf
本发明的一些实施例涉及制造半导体器件的方法和半导体器件。提供一种半导体器件，其具有减小的尺寸和厚度，同时抑制可靠性的恶化。在利用研磨材料在半导体晶片的背表面将半导体晶片研磨至预定厚度之后，沿着切割区域对得到的半导体晶片进行划片以获得多个半导体芯片。在每个半导体芯片的背表面上留下研磨沟的同时，将半导体芯片经由导电树脂膏剂放置在裸片连接盘的上表面上，使得半导体芯片的背表面与裸片连接盘的上表面彼此面对。裸片连接盘在其上表面上具有凹部，该凹部具有从凹部的边缘到凹部的底部为3μm到10μm的深度。
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公开了制造半导体器件的方法和使用该方法制造的半导体器件。根据本公开的示例性实施方式的制造半导体器件的方法包括：在腔室中在衬底上形成半导体层；以及在半导体层上形成绝缘层。形成绝缘层包括：(a)将包括金属的前体注入半导体层的表面中；(b)去除未吸附的前体；(c)将反应物注入半导体层的表面上；以及(d)去除残留的反应物。半导体层包括具有层状结构的半导体材料。
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