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一种半导体元件的制备方法及半导体元件.pdf
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一种半导体元件的制备方法及半导体元件.pdf
本发明实施例公开了一种半导体元件的制备方法及半导体元件,制备方法包括:形成半导体基底,半导体基底包括衬底,以及位于衬底一侧的外延层;外延层远离衬底的一侧形成有多个沟槽;于沟槽中依次形成第一多晶硅层、第一绝缘层和第二多晶硅层;其中,第一绝缘层位于第一多晶硅层和第二多晶硅层之间、第二多晶硅层与沟槽之间以及外延层远离衬底一侧的表面;于第二多晶硅层远离衬底的一侧依次形成第二绝缘层和金属层;于金属层远离所述半导体基底的一侧形成钝化层,并且在形成钝化层前后分别通过氢气合金工艺中和位于第二多晶硅层与沟槽之间的第一绝缘层
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