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半导体器件及其制作方法.pdf
2023-05-24
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一吃****永贺
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本申请公开了一种半导体器件及其制作方法，所述半导体器件包括：半导体衬底，所述半导体衬底具有相对的第一表面和第二表面；设置于所述第一表面的外延结构，所述外延结构具有多层交替设置的第一吸杂层和第二吸杂层；设置于所述外延结构背离所述第一表面一侧表面的第一功能层；设置于所述第一功能层背离所述外延结构表面的有源层；设置于所述有源层背离所述第一功能层表面的第二功能层。由此可知，本方案采用多层交替设置的第一吸杂层和第二吸杂层代替传统的GaAs缓冲层，不仅可以削弱衬底缺陷和杂质对外延结构的影响，还可以降低反应室环境的本底
2023-11-06
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2023-11-25
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本发明提供一种半导体器件及其制作方法。该半导体器件的制作方法包括:在基底的垫氧化层上形成图形化的掩模层,以掩模层为掩模,执行离子注入工艺,在基底中形成埋层;去除图形化的掩模层,增加垫氧化层的厚度形成扩散覆盖层,扩散覆盖层包括自下而上层叠的第一氧化层和第二氧化层,且采用热氧化工艺形成第一氧化层,以及采用化学气相沉积工艺形成第二氧化层;执行退火工艺,使埋层向远离扩散覆盖层的基底中扩散;去除扩散覆盖层;以及在基底上形成外延层。分两步形成扩散覆盖层可以增大去除扩散覆盖层的工艺窗口,减少扩散覆盖层残留,以及使得外延
2023-05-24
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本发明提供一种半导体器件及其制作方法，所述半导体器件的制作方法，至少包括：提供第一半导体基片；在所述第一半导体基片的上表面形成三五族化合物层；在所述三五族化合物层中制备三五族半导体器件，所述三五族半导体器件位于所述三五族化合物层的上表面；在所述三五族化合物层的上表面键合第二半导体基片；利用衬底剥离的工艺剥离所述第一半导体基片，以露出所述三五族化合物层的下表面；利用离子注入工艺从所述三五族化合物层下表面注入强电负性离子。本发明的技术方案阻断了器件从作为衬底的第一半导体基片漏电的通道，可以提高器件的耐压。
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