半导体器件及其制作方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号(10)申请公布号CNCN103578985103578985A(43)申请公布日2014.02.12(21)申请号201310532887.4(22)申请日2013.11.01(71)申请人中航（重庆）微电子有限公司地址401331重庆市沙坪坝区西永镇西永大道25号(72)发明人袁理(74)专利代理机构上海光华专利事务所31219代理人李仪萍(51)Int.Cl.H01L21/335(2006.01)H01L21/329(2006.01)H01L21/683(2006.01)H01L29/778(2006.01)H01L29/872(2006.01)权权利要求书2页利要求书2页说明书10页说明书10页附图16页附图16页(54)发明名称半导体器件及其制作方法(57)摘要本发明提供一种半导体器件及其制作方法，所述半导体器件的制作方法，至少包括：提供第一半导体基片；在所述第一半导体基片的上表面形成三五族化合物层；在所述三五族化合物层中制备三五族半导体器件，所述三五族半导体器件位于所述三五族化合物层的上表面；在所述三五族化合物层的上表面键合第二半导体基片；利用衬底剥离的工艺剥离所述第一半导体基片，以露出所述三五族化合物层的下表面；利用离子注入工艺从所述三五族化合物层下表面注入强电负性离子。本发明的技术方案阻断了器件从作为衬底的第一半导体基片漏电的通道，可以提高器件的耐压。CN103578985ACN1035789ACN103578985A权利要求书1/2页1.一种半导体器件的制作方法，其特征在于，所述半导体器件的制作方法至少包括：提供第一半导体基片；在所述第一半导体基片的上表面形成三五族化合物层；在所述三五族化合物层中制备三五族半导体器件，所述三五族半导体器件位于所述三五族化合物层的上表面；在所述三五族化合物层的上表面键合第二半导体基片；利用衬底剥离的工艺剥离所述第一半导体基片，以露出所述三五族化合物层的下表面；利用离子注入工艺从所述三五族化合物层下表面注入强电负性离子。2.根据权利要求1所述的半导体器件的制作方法，其特征在于：所述利用离子注入工艺从所述三五族化合物层下表面注入强电负性离子的步骤之后还包括步骤：在所述三五族化合物层的下表面形成保护层。3.根据权利要求2所述的半导体器件的制作方法，其特征在于：在所述三五族化合物层的下表面形成保护层之后，还包括步骤：利用光刻和刻蚀工艺对所述保护层和所述三五族化合物层进行刻蚀，形成连接到所述三五族半导体器件的通孔；在所述通孔中填充金属，以形成所述三五族半导体器件的电极。4.根据权利要求1所述的半导体器件的制作方法，其特征在于：所述离子注入工艺中注入离子的元素为O或F，注入剂量为1e18cm-3～1e20cm-3，注入能量大于等于50keV。5.根据权利要求1所述的半导体器件的制作方法，其特征在于：在所述第一半导体基片的上表面形成三五族化合物层的步骤包括：利用沉积工艺在所述第一半导体基片上形成GaN层；利用沉积工艺在所述GaN层上形成AlGaN层或利用沉积工艺在所述GaN层上形成InAlN层。6.根据权利要求1所述的半导体器件的制作方法，其特征在于：在所述三五族化合物层中制备三五族半导体器件的步骤之后，在所述三五族化合物层的上表面键合第二半导体基片之前，还包括在所述三五族半导体器件上形成金属场板的步骤。7.根据权利要求1所述的半导体器件的制作方法，其特征在于：所述三五族半导体器件为异质结场效应管和肖特基二极管。8.根据权利要求1所述的半导体器件的制作方法，其特征在于：所述第一半导体基片为Si衬底。9.根据权利要求1所述的半导体器件的制作方法，其特征在于：所述第二半导体基片为Si衬底、SiC衬底、蓝宝石衬底、玻璃衬底或GaN衬底。10.一种半导体器件，其特征在于，所述半导体器件至少包括：三五族化合物层，所述三五族化合物层的上表面形成有三五族半导体器件，所述三五族化合物层的下表面，所述三五族化合物层下表面被注入有强电负性离子；第二半导体基片，位于所述三五族化合物层的上表面。11.根据权利要求10所述的半导体器件，其特征在于：所述三五族化合物层的下表面还形成有保护层。2CN103578985A权利要求书2/2页12.根据权利要求10所述的半导体器件，其特征在于：所述半导体器件中还形成有贯穿所述保护层和所述三五族化合物层的通孔；所述通孔中填充有金属，适于作为所述三五族半导体器件的电极。13.根据权利要求10所述的半导体器件，其特征在于：所述强电负性离子的元素为O或F，深度为1μm～2μm。14.根据权利要求10所述的半导体器件，其特征在于：所述三五族化合物层包括：GaN层和位于所述GaN层上的AlGaN层或位于所述GaN层上