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一种晶片清洗工艺.pdf

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本发明公开了一种晶片清洗工艺,旨在采用喷淋的方式来清洗晶片,使晶片依次经过碱洗、碱洗、酸洗和氧化,依次除去晶片表面的大颗粒杂质、小颗粒杂质和金属杂质,最后再形成氧化层来保护晶片表面,其技术方案:一种晶片清洗工艺,包括如下步骤:步骤1:将晶片布置成水平姿态并使其水平旋转;步骤2:依次使用第一碱液、第二碱液、酸液和氧化剂溶液这4种药液对旋转中的晶片进行喷淋;所述第一碱液为含有氢氧化钠乙醇水溶液,所述第二碱液为氢氧化铵水溶液;步骤3:使用热氮气对晶片表面进行吹扫,属于半导体晶片加工技术领域。