硅晶片清洗工艺.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利(10)授权公告号CN105655239B(45)授权公告日2018.05.25(21)申请号201610200329.1(56)对比文件(22)申请日2016.03.31US6699330B1,2004.03.02,US5954885A,1999.09.21,(65)同一申请的已公布的文献号CN103794682A,2014.05.14,申请公布号CN105655239ACN103658096A,2014.03.26,(43)申请公布日2016.06.08审查员毕长栋(73)专利权人苏州晶樱光电科技有限公司地址215614江苏省苏州市张家港市凤凰镇双龙村晶樱光电(72)发明人邹文龙张力峰田利中白青松梁会宁(74)专利代理机构北京科亿知识产权代理事务所(普通合伙)11350代理人汤东凤(51)Int.Cl.H01L21/02(2006.01)权利要求书1页说明书2页(54)发明名称硅晶片清洗工艺(57)摘要本发明公开了一种清洗效率更高的硅晶片清洗工艺，清洗车间温度25±3℃；湿度30％-60％，采用带有九个池的清洗设备对硅晶片进行清洗，其中一号池水温30℃；二号池内是室温下的柠檬酸溶液，柠檬酸与水的质量比是1∶20；三号池水温40℃；四号池和五号池均是温度为50℃的0.25ml/pcs的碱溶液，六号池、七号池和八号池均是温度为60℃的纯水，九号池内是温度为70℃的纯水，将硅晶片依次通过一号至九号池，一号至八号池均停留190s，待硅晶片进入九号池后进行慢拉脱水，时间控制在25～35s，出水后的硅晶片放入温度为75℃的烘道烘干，30s后取出。本发明的优点是：清洗效果明显，合格率高。CN105655239BCN105655239B权利要求书1/1页1.硅晶片清洗工艺，其特征在于：清洗车间温度25±3℃；湿度30％-60％，采用带有九个池的清洗设备对硅晶片进行清洗，其中一号池水温30℃；二号池内是室温下的柠檬酸溶液，柠檬酸与水的质量比是1∶20；三号池水温40℃；四号池和五号池均是温度为50℃的0.25ml/pcs的碱溶液，六号池、七号池和八号池均是温度为60℃的纯水，九号池内是温度为70℃的纯水，将硅晶片依次通过一号至九号池，一号至八号池均停留190s，且硅晶片均位于液面下方，其中，一号池、三号池、四号池、五号池、六号池、七号池和八号池均使用超声波，待硅晶片进入九号池后进行慢拉脱水，时间控制在25～35s，出水后的硅晶片放入温度为75℃的烘道烘干，30s后取出。2.根据权利要求1所述的硅晶片清洗工艺，其特征在于：所述三号池的水溢流至二号池，七号池的水溢流至六号池，八号池的水溢流至七号池。2CN105655239B说明书1/2页硅晶片清洗工艺技术领域[0001]本发明涉及到一种硅晶片清洗工艺。背景技术[0002]硅晶片表面层原子因垂直切片方向的化学键被破坏而成为悬空键，形成表面附近的自由力场，表面极易吸附各种杂质，可能吸附的杂质有油脂、松香、蜡、环氧树脂、聚乙二醇等有机物、金属、金属离子、无机化合物、自然氧化层及其他颗粒(硅，碳化硅)，这些杂质造成硅晶片易发生变花、发蓝、发黑和影响制绒等现象，使硅晶片不合格。常规的清洗工艺能将大部分硅晶片清洗干净，清洗合格率能达到90％以上。发明内容[0003]本发明所要解决的技术问题是：提供一种清洗效率更高的硅晶片清洗工艺。[0004]为解决上述技术问题，本发明采用的技术方案为：一种硅晶片清洗工艺，清洗车间温度25±3℃；湿度30％-60％，采用带有九个池的清洗设备对硅晶片进行清洗，其中一号池水温30℃；二号池内是室温下的柠檬酸溶液，柠檬酸与水的质量比是1∶20；三号池水温40℃；四号池和五号池均是温度为50℃的0.25ml/pcs的碱溶液，六号池、七号池和八号池均是温度为60℃的纯水，九号池内是温度为70℃的纯水，将硅晶片依次通过一号至九号池，一号至八号池均停留190s，且硅晶片均位于液面下方，其中，一号池、三号池、四号池、五号池、六号池、七号池和八号池均使用超声波，待硅晶片进入九号池后进行慢拉脱水，时间控制在25～35s，出水后的硅晶片放入温度为75℃的烘道烘干，30s后取出。[0005]所述三号池的水溢流至二号池，七号池的水溢流至六号池，八号池的水溢流至七号池。[0006]本发明的有益效果是：清洗效果明显，合格率高。具体实施方式[0007]本发明所述的硅晶片清洗工艺，清洗车间温度25±3℃；湿度30％-60％，采用带有九个池的清洗设备对硅晶片进行清洗，其中一号池水温30℃；二号池内是室温下的柠檬酸溶液，柠檬酸(柠檬酸属于弱酸，用于腐蚀硅晶片上的氧化层刚好，不会影响硅晶片的质量)与水的质量比是1∶20；三号池水温40℃；四号池和五号池均是温度为