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用于生产在多晶SiC的载体衬底上包含单晶SiC的薄层的复合结构的方法.pdf

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本发明涉及一种用于生产包含位于碳化硅的载体衬底(20)上的单晶碳化硅的薄层(10)的复合结构(1)的方法。所述方法包括:a)提供单晶碳化硅的初始衬底(11)的步骤,b)在初始衬底(11)上外延生长单晶碳化硅的供体层(110)以形成供体衬底(111)的步骤,c)将轻物种离子注入至供体层(110)以形成界定薄层(10)的掩埋脆性面(12)的步骤,d)在供体层(110)的自由表面上形成碳化硅的支撑衬底(20)的步骤,其包括在介于400℃和1100℃之间的温度下进行沉积,e)沿着掩埋脆性面(12)分离以形成复合结构(1)和供体衬底的剩余部分(111’)的步骤,f)对复合结构(1)进行化学?机械处理的步骤。