内容提供者
一种高导热低温共烧玻璃陶瓷基片及其制备方法.pdf
2023-05-24
10金币
420KB
8页
St****36
实名认证
内容提供者
1/8
2/8
3/8
4/8
5/8
6/8
7/8
8/8
在线预览结束，喜欢就下载吧，查找使用更方便
相关资料
一种高导热低温共烧玻璃陶瓷基片及其制备方法.pdf
本发明公开了一种高导热低温共烧玻璃陶瓷基片及其制备方法,所述制备方法,先将氮化铝粉热处理,然后将热处理后的氮化铝粉与硼酸盐玻璃粉混合,获得混合粉,再将混合粉干燥、造粒获得粒料,粒料经压制成型获得压坯,压坯依次经过除胶、烧结即得共烧陶瓷基片;所述氮化铝粉的粒径为5?10μm,硼酸盐玻璃粉的粒径为1?5μm。本发明通过控制硼硅酸盐玻璃粉的粒度、氮化铝粉末的粒度和致密化和晶化工艺,从而控制低温共烧陶瓷基片的导热系数。本发明所得到的陶瓷基片性能优良,成本低廉,导热率高(>8W/(m·K)),可以满足电子封装材料快
2023-05-24
10
420KB
一种高导热高膨胀低温共烧陶瓷材料及其制备方法.pdf
一种高导热高膨胀低温共烧陶瓷材料,属于电子信息功能材料技术领域。所述陶瓷材料包括主基料和添加剂,主基料中各成分占陶瓷材料的质量百分比:MgO:5～10wt%,Li<base:Sub>2</base:Sub>CO<base:Sub>3</base:Sub>:25～60wt%,SiO<base:Sub>2</base:Sub>:35～50wt%,Al<base:Sub>2</base:Sub>O<base:Sub>3</base:Sub>:1～10wt%,添加剂中各成分占陶瓷材料的质量百分比:H<base:S
2023-05-24
10
989KB
一种高导热氮化铝陶瓷散热基片及其制备方法.pdf
本发明公开了一种高导热氮化铝陶瓷散热基片，所述高导热氮化铝陶瓷散热基片为采用氮化铝为主要原料，通过振动热压烧结制备而得的热导率为200~260W/(m·K)的陶瓷散热基片。本发明还公开了一种高导热氮化铝陶瓷散热基片的制备方法，包括：将经过初步处理的坯料通过压力机干压成型；将经过干压成型的所述坯料通过真空脱脂炉进行脱脂处理；将经过脱脂的所述坯料通过振动热压烧结炉中进行烧成，得到初成品；将所述初成品保温保压0.5~8小时，随炉冷却得到氮化铝陶瓷散热基片。采用本发明，所得陶瓷散热基片不但导热率可高达200~26
2023-06-19
10
628KB
一种高导热AlN陶瓷低温烧结的制备方法.pdf
一种高导热AlN陶瓷低温烧结的制备方法。本发明为了寻找AlN陶瓷最佳的制备工艺，以满足AlN陶瓷实际生产的需要。本方法如下：一、助烧剂的制备，二、将氮化铝和助烧剂进行球磨处理，球料比为10～30:1，球磨时间1～14h；三、将步骤二所得粉体烘干后，放入模具中，在烧结炉中一定温度、一定压力下保持一定时间；四、冷却后脱模即得高导热陶瓷片。本发明制备的AlN陶瓷成本低，操作简单，强度高等优点。
2023-06-15
10
253KB
一种低温共烧陶瓷的制备方法.pdf
本发明提供了一种低温共烧陶瓷的制备方法，其缩短倒角时间，提高低温共烧陶瓷制备效率。其包括以下步骤：落片、打孔、网印、叠片、层压、切割、排胶，其特征在于：在生坯器件完全排胶前从排胶炉中取出置入含有磨削介质的球磨罐中，生坯器件的体积占球磨罐容积的25%~35%，加入的磨削介质为：去除水分的种子，磨削介质的填充量为球磨罐容积的35%~55%，之后启动球磨机对生坯器件进行倒角，倒角完成后再次置入排胶炉中直至完全排胶，完全排胶后置入烧结炉中进行烧结，通过完全排胶和烧结分解烧除磨削后沾染在器件上的磨削介质粉末。
2023-06-15
10
253KB